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19NM50N-VB TO220 產品詳細

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N-Channel 650V 3.5V 20A 160mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N-Channel SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N-Channel 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N-Channel 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI

### 詳細參數說明:

- **包裝**:TO220
- **結構**:單N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**:650V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:160mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:20A
- **技術**:SJ_Multi-EPI

領域和模塊應用:



### 應用示例:

1. **電源逆變器**:由於其高耐壓和低導通電阻,19NM50N-VB TO220適用於電力電子設備中的逆變器模組,能夠提供穩定的電力轉換。

2. **充電樁**:在充電樁中,這款MOSFET可以用作開關管,實現電能的快速控制和轉換。

3. **太陽能逆變器**:在太陽能電池系統中,這款MOSFET能夠承受高壓,適用於逆變器和電能調節模組。

4. **工業電源**:在工業電源設備中,這款MOSFET可以用於開關電源和UPS系統,提供穩定可靠的電力輸出。

5. **電動汽車充電器**:在電動汽車充電器中,這款MOSFET可以用於高效率的電能轉換,提高充電速度。

以上是19NM50N-VB TO220的產品簡介、詳細參數說明和應用示例。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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