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19NM65N-VB TO220 產品詳細

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N-Channel 650V 3.5V 20A 160mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N-Channel SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N-Channel 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N-Channel 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
詳細參數說明:
- 封裝:TO220
- 類型:單N溝道(Single-N-Channel)
- VDS(漏極-源極電壓):650V
- VGS(柵極-源極電壓):30V(±V)
- 閾值電壓(Vth):3.5V
- 導通電阻(RDS(ON)):160mΩ@VGS=10V
- 漏極電流(ID):20A
- 技術:SJ_Multi-EPI

領域和模塊應用:

適用領域和模組示例:
1. 電源模組:19NM65N-VB TO220適用於中功率電源模組,如開關電源和逆變器設計。
2. 照明應用:可用於LED驅動器和照明系統,實現高效能量轉換和亮度控制。
3. 汽車電子:適用於汽車電子模組,如電動汽車充電器和車載電源管理器。
4. 工業控制:在工業自動化和機器人領域,該器件可用於中功率開關電路和電機控制器設計。
5. 太陽能逆變器:用於太陽能逆變器模組,實現太陽能電池板的能量轉換和管理。

這些是19NM65N-VB TO220 MOSFET在各個領域和模組上的一些示例應用。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

* 如果您對產品有任何問題,請填寫表格提交,我們會24小時內回復您

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