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2N60-VB TO220 產品詳細

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N-Channel 650V 3.5V 2A 3900mΩ 3120mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N-Channel Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N-Channel 650V 3.5V 2A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N-Channel 650V 3.5V 2A Plannar

### 2. 參數說明:

- **器件類型**:單N溝道MOSFET
- **封裝**:TO220
- **最大漏極-源極電壓(VDS)**:650V
- **最大柵極-源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:3900mΩ @ VGS=4.5V, 3120mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:2A
- **技術特點**:Plannar

領域和模塊應用:



### 3. 應用示例:

- **開關電源**:2N60-VB適用於低功率開關電源模組,如手機充電器和筆記本電腦適配器。其高耐壓特性可以提供安全穩定的電源輸出。

- **逆變器**:在逆變器應用中,2N60-VB可以用作功率開關,實現直流到交流的轉換。其高耐壓和低導通電阻特性可以提高逆變器的效率和穩定性。

- **照明**:在LED照明應用中,2N60-VB可以用作LED驅動器件,實現對LED燈的高效控制。其高耐壓特性可以保證LED照明系統的穩定性和安全性。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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