產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N-Channel |
650V |
|
3.5V |
2A |
|
3900mΩ |
3120mΩ |
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-N-Channel |
|
|
|
|
|
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-N-Channel |
650V |
|
3.5V |
2A |
|
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-N-Channel |
650V |
|
3.5V |
2A |
|
Plannar |
### 詳細參數說明
- **型號**:2N65G-TA3-T-VB
- **封裝**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **門限電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:3900mΩ @ VGS=4.5V, 3120mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:2A
- **技術**:平面 (Plannar)
領域和模塊應用:
### 適用領域和模組
**1. 電源逆變器**
2N65G-TA3-T-VB TO220 MOSFET適用於電源逆變器中的高壓開關和逆變器模組。其高漏極電壓和低導通電阻有助於提高逆變器的效率和可靠性。
**2. 工業控制**
在工業控制系統中,這款MOSFET可以用於高壓負載開關和逆變器模組。其高漏極電壓和低導通電阻有助於提高系統的效率和可靠性。
**3. 電源管理**
這款MOSFET適用於各種電源管理模組,包括DC-DC轉換器、AC-DC適配器和UPS系統。其高漏極電壓和低導通電阻可以提高模組的效率和性能。
**4. LED照明**
在LED照明系統中,2N65G-TA3-T-VB TO220能夠提供穩定的功率轉換和高效率的能量管理,確保LED燈具的長壽命和穩定性。
**5. 太陽能逆變器**
在太陽能光伏逆變器中,這款MOSFET能夠高效地管理和轉換太陽能電池板產生的能量,確保逆變器系統的高效運行和穩定性。
綜上所述,VBsemi 2N65G-TA3-T-VB TO220 MOSFET在多個領域和模組上具有廣泛的應用前景,是高性能電源管理和高壓開關應用的理想選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性