2N7002T-7-F-VB - VBsemi MOSFETs製造商

2N7002T-7-F-VB 產品詳細

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SC75-3	Single-N-Channel	60V		1.7V	0.33A		2000mΩ	1200mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SC75-3	Single-N-Channel						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SC75-3	Single-N-Channel	60V		1.7V	0.33A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SC75-3	Single-N-Channel	60V		1.7V	0.33A		Trench

### 詳細參數說明

- **型號**: 2N7002T-7-F-VB
- **封裝形式**: SC75-3
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 2000mΩ @ VGS = 4.5V
- 1200mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 0.33A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用：

### 應用領域和模組示例

1. **電源管理**：
- 在低壓低功率的電源管理電路中，2N7002T-7-F-VB可用作電源開關或負載開關。其低漏源極電壓和適中導通電阻可確保電路的高效能和穩定性。

2. **信號開關**：
- 作為信號開關，該MOSFET可用於控制信號在電路中的傳輸和遮罩。其低漏源極電壓和適中導通電阻可確保信號傳輸的穩定性和可靠性。

3. **驅動器**：
- 在驅動器電路中，2N7002T-7-F-VB可用於控制小功率驅動器的開關。其小尺寸和高性能使其成為驅動器電路中的理想選擇。

綜上所述，VBsemi的2N7002T-7-F-VB MOSFET適用於各種低壓低功率應用領域，特別是在電源管理、信號開關和驅動器等領域表現突出。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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