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2SK2858-VB 產品詳細

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-3 Single-N-Channel 20V 0.5~1.5V 4A 48mΩ 40mΩ 36mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-3 Single-N-Channel Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-3 Single-N-Channel 20V 0.5~1.5V 4A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-3 Single-N-Channel 20V 0.5~1.5V 4A Trench

### 詳細參數說明

- **型號**: 2SK2858-VB
- **封裝**: SC70-3
- **配置**: 單一N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 48mΩ @ VGS = 2.5V, 40mΩ @ VGS = 4.5V, 36mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用:


### 應用領域和模組舉例

2SK2858-VB MOSFET 在多個領域和模組上有著廣泛的應用:

1. **電池管理**:
- 由於其低導通電阻和適中的電流承載能力,該器件適用於電池管理系統中的充放電控制。它可以有效地控制電池的充放電過程,確保電池組的安全和性能。

2. **電源開關**:
- 在低電壓開關電源中,該MOSFET可用作功率開關,用於控制電源的輸出。其低導通電阻特性,有助於減少功耗和提高電源效率。

3. **消費電子**:
- 在消費電子產品中,如智能手機、平板電腦等中,該器件可用於電源管理、充電控制等方面。其小封裝和適中的電流特性,使其成為這些設備中的理想選擇。

4. **LED照明**:
- 該器件在LED照明系統中表現出色,可以用於LED驅動電路。其低導通電阻和高穩定性,有助於提高LED照明系統的效率和穩定性。

通過以上應用場景的舉例,可以看出2SK2858-VB MOSFET 具有廣泛的應用前景,能夠滿足不同行業對低電壓、中等電流處理的需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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