產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N-Channel |
20V |
|
0.5~1.5V |
4A |
48mΩ |
40mΩ |
36mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N-Channel |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N-Channel |
20V |
|
0.5~1.5V |
4A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N-Channel |
20V |
|
0.5~1.5V |
4A |
|
Trench |
### 詳細參數說明
- **型號**: 2SK2858-VB
- **封裝**: SC70-3
- **配置**: 單一N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 48mΩ @ VGS = 2.5V, 40mΩ @ VGS = 4.5V, 36mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術**: Trench
領域和模塊應用:
### 應用領域和模組舉例
2SK2858-VB MOSFET 在多個領域和模組上有著廣泛的應用:
1. **電池管理**:
- 由於其低導通電阻和適中的電流承載能力,該器件適用於電池管理系統中的充放電控制。它可以有效地控制電池的充放電過程,確保電池組的安全和性能。
2. **電源開關**:
- 在低電壓開關電源中,該MOSFET可用作功率開關,用於控制電源的輸出。其低導通電阻特性,有助於減少功耗和提高電源效率。
3. **消費電子**:
- 在消費電子產品中,如智能手機、平板電腦等中,該器件可用於電源管理、充電控制等方面。其小封裝和適中的電流特性,使其成為這些設備中的理想選擇。
4. **LED照明**:
- 該器件在LED照明系統中表現出色,可以用於LED驅動電路。其低導通電阻和高穩定性,有助於提高LED照明系統的效率和穩定性。
通過以上應用場景的舉例,可以看出2SK2858-VB MOSFET 具有廣泛的應用前景,能夠滿足不同行業對低電壓、中等電流處理的需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
技術支援:
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