**VBsemi 2SJ461A-T1B-A-VB**

- **絲印：** VB264K
- **品牌：** VBsemi
- **參數：**
- 封裝：SOT23
- 溝道類型：P—Channel
- 額定電壓：-60V
- 額定電流：-0.5A
- 開態電阻（RDS(ON)）：3000mΩ@VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓（Vth）：-1.87V

**封裝：** SOT23

**詳細參數說明：**
- **溝道類型：** P—Channel，指明這是一個P溝道場效應電晶體。
- **額定電壓：** -60V，表示電晶體可承受的最大電壓為-60V。
- **額定電流：** -0.5A，表示電晶體的最大額定電流為-0.5A。
- **開態電阻（RDS(ON)）：** 3000mΩ@VGS=10V, VGS=20V，表示在給定的門源電壓下，電晶體導通時的電阻為3000毫歐姆。
- **閾值電壓（Vth）：** -1.87V，表示電晶體開始導通的門源電壓閾值。

**應用簡介：**
2SJ461A-T1B-A-VB適用於各種電源管理、放大和開關電路。由於是P溝道MOSFET，它在某些電源控制和逆變器設計中可能特別有用。

**舉例說明：**
該器件可用於電源開關模組、功率放大器和直流-直流（DC-DC）變換器。例如，在電源管理模組中，它可以用於控制負載開關以提高效率。在放大器中，它可能用於驅動音頻放大電路。在DC-DC變換器中，它可以用於實現電源的高效變換。

**注意：** 在具體應用中，請參考該器件的數據手冊以獲取更詳細的電性能和設計資訊。