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2SK2895-01_05-VB 產品詳細

產品簡介:

一、2SK2895-01_05-VB 產品簡介

2SK2895-01_05-VB 是一款由VBsemi公司生產的單N溝道MOSFET,採用TO220封裝。該MOSFET具有60V的漏源電壓(VDS)和20V的柵源電壓(VGS),能夠在低壓應用中提供高效和可靠的性能。該產品採用了溝道技術,確保了在不同應用中的穩定性和耐用性。其最大漏極電流(ID)為60A,在VGS為4.5V時的導通電阻(RDS(ON))為13mΩ,在VGS為10V時的導通電阻(RDS(ON))為11mΩ。這個器件適用於對低壓要求且需要高電流的場合。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A 13(mΩ) 11(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A Trench
二、2SK2895-01_05-VB 詳細參數說明

- **封裝形式**:TO220
- **極性**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:60V
- **柵源電壓(VGS)**:20V(±)
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- @ VGS=4.5V: 13mΩ
- @ VGS=10V: 11mΩ
- **漏極電流(ID)**:60A
- **技術**:溝道技術
- **其他參數**:
- 柵極電荷(Qg):待定
- 反向恢復時間(trr):待定
- 電感負載開關時間(tsw):待定
- 封裝尺寸:待定
- 工作溫度範圍:待定

領域和模塊應用:

三、適用領域和模組舉例

2SK2895-01_05-VB MOSFET 由於其低壓和高電流能力,適用於各種低壓高功率場景。以下是一些具體的應用領域和模組:

1. **電源模組**:在需要高功率輸出的低壓電源模組中,2SK2895-01_05-VB 可以提供可靠的功率開關和電流控制,使電源模組具有更好的效率和可靠性。

2. **電機驅動器**:在低壓高功率電機控制系統中,2SK2895-01_05-VB 可以提供高效的電流控制和電壓調節,確保電機的穩定運行和高效能轉換。

3. **電池管理系統**:在需要高電流充放電的電池管理系統中,2SK2895-01_05-VB 可以提供穩定的電流控制和電壓調節,確保電池系統的安全運行和長壽命。

4. **LED照明系統**:對於需要低壓高功率的LED照明系統,2SK2895-01_05-VB 可以提供穩定的電流和電壓輸出,提升照明效果和能源利用率。

總的來說,2SK2895-01_05-VB 是一款適用於低壓高功率場合的N溝道MOSFET,具有高性能和穩定性,可以滿足各種高功率電子設備的需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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