產品參數：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.8/-1.7V |
10/-8A |
|
13/28(mΩ) |
11/21(mΩ) |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.8/-1.7V |
10/-8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.8/-1.7V |
10/-8A |
|
Trench |
二、4501AGEM-VB 詳細參數說明
| 參數 | 數值 |
|--------------------|--------------------------|
| 封裝 | SOP8 |
| 配置 | 雙 N 溝道加 P 溝道 |
| 漏極-源極電壓 (VDS) | ±30V |
| 柵極-源極電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.8V / -1.7V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 13mΩ / 28mΩ @ VGS=4.5V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 11mΩ / 21mΩ @ VGS=10V |
| 漏極電流 (ID) | 10A / -8A |
| 技術 | 溝槽技術 (Trench) |
領域和模塊應用：
三、4501AGEM-VB 應用領域和模組示例
1. **電源管理模組**：
4501AGEM-VB 可用於需要雙溝道和 P 溝道器件的高性能電源管理模組，具有較低的導通電阻和高漏極電流。
2. **音頻放大器**：
在音頻放大器中，4501AGEM-VB 可用於功率放大器模組，提供高效能量轉換和穩定的音頻輸出。
3. **電動汽車**：
在電動汽車的電源管理系統中，4501AGEM-VB 可用於驅動控制模組，幫助實現高效的電能轉換和驅動性能。
4. **工業控制**：
4501AGEM-VB 適用於工業控制系統中需要雙溝道和 P 溝道器件的高壓控制模組，提供高性能和可靠性。
5. **電池管理**：
4501AGEM-VB 可用於電池管理系統中的充放電控制模組，提供高效能的電池管理功能。
綜上所述，4501AGEM-VB MOSFET 具有廣泛的應用前景，在多個領域中都能發揮重要作用，特別適用於需要雙溝道和 P 溝道器件的高性能應用場合。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
立即下載
中文
English
返回上級頁面
