推广型号

您現在的位置 > 首頁 > 推广型号

4501GM-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

4501GM-VB 是一款由VBsemi公司生產的雙N+P溝道MOSFET,採用SOP8封裝。該器件具有±30V的漏源電壓(VDS)、±20V的柵源電壓(VGS)、1.6V(N溝道)和-1.7V(P溝道)的柵極閾值電壓(Vth)、24mΩ(N溝道)和50mΩ(P溝道)的導通電阻(RDS(ON))(在VGS=4.5V時)、18mΩ(N溝道)和40mΩ(P溝道)的導通電阻(RDS(ON))(在VGS=10V時)、±8A的漏極電流(ID),採用Trench技術。

文件下載

下載PDF檔案
立即下載

產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A 24/50(mΩ) 18/40(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
詳細參數說明

- **型號**:4501GM-VB
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:雙N+P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:±30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:1.6V(N溝道)和-1.7V(P溝道)
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- N溝道:24mΩ @ VGS=4.5V,18mΩ @ VGS=10V
- P溝道:50mΩ @ VGS=4.5V,40mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:±8A
- **技術**:Trench

領域和模塊應用:

應用領域和模組

4501GM-VB 適用於以下領域和模組:

1. **電源管理**:
由於其雙N+P溝道設計,4501GM-VB 可以用作電源管理中的開關器件,實現電源的雙極性控制和管理。

2. **功率逆變器**:
在需要實現雙極性功率逆變的應用中,4501GM-VB 可以用作功率逆變器的關鍵器件,實現高效、可靠的功率轉換。

3. **電動工具**:
由於其高漏極電流和低導通電阻,4501GM-VB 可以用作電動工具中的驅動器件,如電動扳手、電動剪刀等。

4. **電動車充電器**:
在需要實現電動車雙極性電池充電的應用中,4501GM-VB 可以用作充電器的關鍵器件,實現高效、可靠的充電控制。

綜上所述,4501GM-VB 在需要雙極性控制和高效功率管理的應用中具有廣泛的應用前景,能夠提供可靠、高效的功率控制和管理功能。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

* 如果您對產品有任何問題,請填寫表格提交,我們會24小時內回復您

打樣申請

QQ諮詢

電話諮詢

400-655-8788

微信諮詢

一鍵置頂

打樣申請
線上諮詢
電話諮詢
微信諮詢