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4539GM-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

4539GM-VB 是一款雙N+P-通道MOSFET,採用SOP8封裝。它具有±30V的漏源電壓(VDS)和20V的柵源電壓(VGS),以及1.8V(N-通道)和-1.7V(P-通道)的閾值電壓(Vth)。該器件採用先進的溝槽(Trench)技術製造,具有低導通電阻特性,在VGS為4.5V時的導通電阻(RDS(ON))為13mΩ(N-通道)和28mΩ(P-通道),在VGS為10V時的導通電阻(RDS(ON))為11mΩ(N-通道)和21mΩ(P-通道)。其最大漏電流(ID)為10A(N-通道)和-8A(P-通道),適用於高效電源管理和快速開關電路應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.8/-1.7V 10/-8A 13/28(mΩ) 11/21(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.8/-1.7V 10/-8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.8/-1.7V 10/-8A Trench
詳細參數說明

- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:雙N+P-通道
- **漏源電壓(VDS)**:±30V
- **柵源電壓(VGS)**:20V(±)
- **閾值電壓(Vth)**:
- N-通道:1.8V
- P-通道:-1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- @ VGS=4.5V:
- N-通道:13mΩ
- P-通道:28mΩ
- @ VGS=10V:
- N-通道:11mΩ
- P-通道:21mΩ
- **漏電流(ID)**:
- N-通道:10A
- P-通道:-8A
- **技術**:溝槽(Trench)

領域和模塊應用:

應用領域和模組

4539GM-VB MOSFET適用於多種高效電源管理和快速開關應用領域和模組,具體包括但不限於:

1. **電源管理**:
- 在高效DC-DC轉換器中,4539GM-VB可以作為開關元件,實現高效的電壓轉換和穩定的輸出,適用於可攜式電子設備、電池供電設備等。
- 在電源適配器和充電器中,該器件能夠提供低損耗、高效率的電源管理,提高設備的充電速度和能效。

2. **電機驅動**:
- 在電動工具和小型電動設備中,4539GM-VB可以用作電機驅動器件,實現高效的電流控制和穩定的電機運行。
- 在機器人和自動化設備中,能夠驅動各類電機和執行器,支持精確的運動控制和快速回應。

3. **消費電子**:
- 在智能手機、平板電腦和其他可攜式消費電子產品中,4539GM-VB可用於電源管理和電池保護電路,延長電池壽命並提高設備性能。
- 在家用電器和音視頻設備中,能夠提供穩定的電源支持和快速的開關控制,確保設備的高效運行和可靠性。

4. **工業自動化**:
- 在工業控制系統中,4539GM-VB可以用於電源管理和驅動控制電路,支持高效能和穩定的工業自動化操作。
- 在各種感測器和控制器中,該MOSFET能夠提供可靠的電源和信號控制,確保系統的長期穩定性和精確性。

通過以上示例,可以看出4539GM-VB在電源管理、電機驅動、消費電子和工業自動化等領域中具有重要的應用價值和廣泛的應用前景。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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