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5NB90-VB 產品詳細

產品簡介:

一、5NB90-VB TO220產品簡介

5NB90-VB TO220是一款高壓單N溝道MOSFET,由VBsemi生產,專為需要高電壓和高性能的應用而設計。這款MOSFET具備900V的漏源電壓和5A的最大漏極電流能力,適合於要求嚴格的功率開關和電源管理應用。採用TO220封裝,具有優秀的散熱性能和便於安裝的特點。利用SJ_Multi-EPI技術,提供低導通電阻和高效能。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 900V 3.5V 5A 1500(mΩ) SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 900V 3.5V 5A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 900V 3.5V 5A SJ_Multi-EPI
二、5NB90-VB TO220詳細參數說明

| 參數 | 數值 | 備註 |
| --- | --- | --- |
| **封裝類型** | TO220 | 便於散熱和安裝 |
| **配置** | 單N溝道 | 單一N溝道MOSFET |
| **VDS (漏源電壓)** | 900V | 高耐壓能力 |
| **VGS (柵源電壓)** | ±30V | 柵源電壓範圍 |
| **Vth (閾值電壓)** | 3.5V | 柵源開啟電壓 |
| **RDS(ON) @ VGS=10V** | 1500mΩ | 導通電阻 |
| **ID (漏極電流)** | 5A | 最大連續電流 |
| **技術** | SJ_Multi-EPI | 提供低導通電阻和高效能 |

領域和模塊應用:

三、5NB90-VB TO220的應用領域和模組

5NB90-VB TO220適用於多種高壓和高性能應用場景:

1. **工業電源**
- **應用場景**:用於工業電源系統中的開關電源(SMPS)和逆變器。
- **示例**:在工業電源的開關電源模組中,5NB90-VB TO220能夠提供穩定的功率轉換和高效能的電能轉換,確保設備長時間穩定運行。

2. **太陽能逆變器**
- **應用場景**:適用於太陽能逆變器中的功率開關模組。
- **示例**:在太陽能逆變器中,5NB90-VB TO220能夠處理高壓和高頻率的電能轉換,提高能源利用率和系統效能。

3. **醫療設備**
- **應用場景**:適用於醫療設備如X射線發生器和MRI系統的電源管理模組。
- **示例**:在醫療設備的電源管理中,5NB90-VB TO220能夠提供穩定的電能輸出,確保醫療設備的安全和可靠性。

4. **電動汽車充電樁**
- **應用場景**:用於電動汽車充電樁的功率控制模組。
- **示例**:在電動汽車充電樁中,5NB90-VB TO220能夠處理高壓和高電流的電能轉換,確保快速和高效的充電服務。

總之,5NB90-VB TO220是一款性能穩定、耐壓能力強的高壓MOSFET,適用於工業電源、太陽能逆變器、醫療設備和電動汽車充電樁等多種應用領域,幫助各類設備實現高效能和可靠性的運行。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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