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7N50G-TA3-T-VB 產品詳細

產品簡介:

一、7N50G-TA3-T-VB 產品簡介

7N50G-TA3-T-VB 是一款由 VBsemi 公司生產的單 N 溝道 MOSFET,採用 TO220 封裝。該 MOSFET 具有高達 500V 的漏源極電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源極電壓 (VGS),柵極閾值電壓 (Vth) 為 3.1V。其導通電阻 (RDS(ON)) 為 660 毫歐姆 (mΩ) 在 VGS = 10V 時,連續漏極電流 (ID) 可達 13A。該器件採用 Plannar 結構技術,具有穩定的性能和可靠的電氣特性。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A 660(mΩ) Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A Plannar
二、7N50G-TA3-T-VB 詳細參數說明

- **封裝類型 (Package)**: TO220
- **配置 (Configuration)**: 單 N 溝道 (Single N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 500V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.1V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 660mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術 (Technology)**: Plannar

領域和模塊應用:

三、適用領域和模組舉例

7N50G-TA3-T-VB MOSFET 由於其高電壓耐受能力和適中的導通電阻,適用於以下領域和模組:

1. **電源開關**:在工業和商業電源開關應用中,特別是需要處理高電壓和中等電流的場合,如 UPS 系統、電源分配單元等。

2. **電動車充電樁**:在電動車充電設施中,需要處理高電壓的開關器件,7N50G-TA3-T-VB 可以作為充電樁的主要開關元件,確保安全和高效的能量轉換。

3. **電動工具**:用作電動工具中的功率開關,例如高壓電動錘、電動割草機等,能夠提供可靠的功率控制和驅動性能。

4. **工業自動化設備**:在工業自動化系統中,特別是需要長時間穩定運行和高電壓控制的設備,如機器人控制系統、自動化生產線等。

5. **太陽能逆變器**:雖然功率稍低,但在需要中等功率和高電壓承受能力的太陽能逆變器中也有應用,用於提高太陽能發電系統的能量轉換效率和可靠性。

綜上所述,7N50G-TA3-T-VB 是一款適用於高電壓和中等功率應用場合的 MOSFET,能夠為各種工業和電子設備提供可靠的功率開關解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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