推广型号

您現在的位置 > 首頁 > 推广型号

AFN7412S32RG-VB 產品詳細

產品簡介:

一、AFN7412S32RG-VB 產品簡介

AFN7412S32RG-VB是一款單N溝道功率MOSFET,採用SC70-3封裝,設計用於低電壓應用。該器件利用先進的Trench技術,具有低導通電阻和良好的導通特性。漏源電壓(VDS)為20V,柵源電壓(VGS)為±12V,門限電壓(Vth)為0.5~1.5V。在不同柵源電壓下,其導通電阻(RDS(ON))分別為48mΩ @ VGS = 2.5V,40mΩ @ VGS = 4.5V,和36mΩ @ VGS = 10V。最大漏極電流(ID)為4A。這些特性使其適合於需要低電壓操作和中等電流的場合。

文件下載

下載PDF檔案
立即下載

產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A 48(mΩ) 40(mΩ) 36(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-3 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A Trench
二、AFN7412S32RG-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**:SC70-3
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:20V
- **柵源電壓(VGS)**:±12V
- **門限電壓(Vth)**:0.5~1.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 48mΩ @ VGS = 2.5V
- 40mΩ @ VGS = 4.5V
- 36mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:4A
- **技術類型**:Trench

領域和模塊應用:

三、AFN7412S32RG-VB 適用領域及模組舉例

AFN7412S32RG-VB適用於多種低電壓應用領域和模組,包括但不限於:

1. **便攜設備**:
- **智能手機**:用作電池管理系統中的電源開關和功率管理單元,以確保電池壽命和效率。
- **平板電腦**:在電源管理電路中,控制和優化電池使用和充電。

2. **消費電子**:
- **可攜式音頻設備**:作為音頻功率放大器的驅動器,提供清晰和高保真度的音頻輸出。
- **電子遊戲機**:在控制和管理電子遊戲設備的電源系統中,確保穩定的電力供應。

3. **醫療設備**:
- **可攜式醫療儀器**:用於可攜式醫療設備的電源管理和驅動電路,確保設備的高效和可靠性。
- **可穿戴醫療設備**:在微型醫療感測器和設備中,作為電源管理和信號處理電路的關鍵組成部分。

AFN7412S32RG-VB由於其低電壓操作能力和優異的導通特性,在各種需要低功耗和中等電流的便攜設備、消費電子和醫療設備應用中具有廣泛的應用前景。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

* 如果您對產品有任何問題,請填寫表格提交,我們會24小時內回復您

打樣申請

QQ諮詢

電話諮詢

400-655-8788

微信諮詢

一鍵置頂

打樣申請
線上諮詢
電話諮詢
微信諮詢