AM4512AC-T1-PF-VB - VBsemi MOSFETs製造商

AM4512AC-T1-PF-VB 產品詳細

描述
參數
應用
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產品簡介：

產品簡介詳述：AM4512AC-T1-PF-VB

**型號：** AM4512AC-T1-PF-VB
**封裝：** SOP8
**結構：** 雙N+N溝道
**漏極-源極電壓（VDS）：** ±30V
**柵極-源極電壓（VGS）：** ±20V
**閾值電壓（Vth）：** 1.6V (N-Channel), -1.7V (P-Channel)
**導通電阻（RDS(ON)）：**
- N溝道：24mΩ @ VGS=4.5V, 18mΩ @ VGS=10V
- P溝道：50mΩ @ VGS=4.5V, 40mΩ @ VGS=10V
**漏極電流（ID）：** ±8A
**技術：** Trench（溝槽型）

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Dual-N+P	±30V		1.6/-1.7V	±8A		24/50(mΩ)	18/40(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Dual-N+P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Dual-N+P	±30V		1.6/-1.7V	±8A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Dual-N+P	±30V		1.6/-1.7V	±8A		Trench

詳細參數說明：

1. **電氣特性：**
- **靜態參數：**
- 漏極-源極電壓（VDS）：±30V
- 柵極-源極電壓（VGS）：±20V
- 閾值電壓（Vth）：
- N溝道：1.6V
- P溝道：-1.7V
- 漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）：
- N溝道：
- 24mΩ @ VGS=4.5V
- 18mΩ @ VGS=10V
- P溝道：
- 50mΩ @ VGS=4.5V
- 40mΩ @ VGS=10V
- 最大漏極電流（ID）：±8A

2. **封裝和配置：**
- 封裝形式：SOP8
- 結構類型：雙N+N溝道

3. **技術特性：**
- 採用溝槽型MOSFET技術

領域和模塊應用：

應用示例：

AM4512AC-T1-PF-VB適用於以下領域和模組的示例包括：

- **電源管理系統：** 在各種電源管理系統中作為開關元件，用於DC-DC轉換器、AC-DC逆變器和電源供應單元。
- **電動車輛：** 用於電動車輛的電池管理和電動機驅動，支持高效能轉換和高功率密度。
- **工業自動化：** 在工業控制系統中用於電流和電壓的控制和調節，確保設備的可靠性和穩定性。
- **電源開關和穩壓器：** 在電源管理單元中作為功率開關和穩壓器，提供高效的電能轉換和管理。

這些示例展示了AM4512AC-T1-PF-VB在需要同時控制正負電壓、高電流和高效能轉換的多種應用中的潛在應用價值。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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