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AP0903GYT-HF-VB 產品詳細

產品簡介:

AP0903GYT-HF-VB 產品簡介

AP0903GYT-HF-VB 是一款低壓單N溝道MOSFET,採用DFN8(3X3)封裝。該器件設計用於低電壓應用,具備30V的漏源電壓(VDS)和高達30A的連續漏電流(ID)。其柵源電壓(VGS)額定值為±20V,開啟電壓(Vth)為1.7V,具有優異的導通電阻(RDS(ON))性能,在不同柵源電壓下分別為19mΩ(@VGS=4.5V)和13mΩ(@VGS=10V)。該MOSFET採用溝槽技術(Trench),提供了高效率和低開關損耗。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 30A 19(mΩ) 13(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 30A Trench
AP0903GYT-HF-VB 詳細參數說明

| 參數 | 值 |
|----------------|--------------------|
| **型號** | AP0903GYT-HF-VB |
| **封裝類型** | DFN8(3X3) |
| **配置** | 單N溝道 |
| **漏源電壓 (VDS)** | 30V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20V |
| **開啟電壓 (Vth)** | 1.7V |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 19mΩ @ VGS=4.5V |
| | 13mΩ @ VGS=10V |
| **連續漏電流 (ID)** | 30A |
| **技術** | 溝槽技術 (Trench) |

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例

1. **電源管理**:由於其低導通電阻和高電流能力,AP0903GYT-HF-VB 可以用作低壓開關電源中的主要開關元件,如筆記本電腦和移動充電器的DC-DC轉換器中。

2. **電動工具**:在電動工具中,特別是需要處理高電流和頻繁開關的應用中,這款MOSFET能夠提供高效率和可靠性。

3. **電動車輛**:在電動車輛的電池管理系統和電動馬達驅動器中,AP0903GYT-HF-VB 可以用作電流控制和電源開關,確保高效能和長期可靠性。

4. **LED照明**:這款低壓MOSFET可以用於LED驅動電路中,幫助實現高效率的能量轉換和照明控制。

5. **移動設備**:由於其小型封裝和高性能特性,AP0903GYT-HF-VB 適合在可攜式設備如智能手機和平板電腦中的電源管理和電池保護電路中使用。

AP0903GYT-HF-VB 的設計使其適用於需要低電壓操作、高電流和高效率的多種應用場景。無論是工業自動化、消費電子還是新能源技術,這款MOSFET都能提供可靠的性能和成本效益。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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