推广型号

您現在的位置 > 首頁 > 推广型号

AP6679GP-HF-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介詳細:

AP6679GP-HF-VB 是一款單P溝道MOSFET,採用Trench技術。其主要技術參數如下:

- **包裝類型:** TO220
- **配置:** 單P溝道
- **最大漏極-源極電壓(VDS):** -40V
- **最大柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** -2V
- **導通電阻(RDS(ON)):**
- 14.4mΩ @ VGS = 4.5V
- 12mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** -65A (負號表示漏極電流為負,即電流流向相反)

文件下載

下載PDF檔案
立即下載

產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-P -40V -2V -65A 14.4(mΩ) 12(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-P -40V -2V -65A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-P -40V -2V -65A Trench
詳細參數說明:

1. **包裝類型和配置:** TO220 封裝,適合於中功率密度和較低熱阻設計,廣泛應用於功率開關和電源管理領域。

2. **電氣特性:**
- **寬電壓容忍度:** 最大-40V的漏極-源極電壓(VDS),適合於中等電壓範圍的應用場合。
- **低導通電阻:** 在不同的柵極-源極電壓下(4.5V和10V),分別為14.4mΩ和12mΩ,提供了低功耗和高效率的操作。
- **高漏極電流:** 最大漏極電流(ID)達到-65A,適用於處理大功率負載,負號表示MOSFET為P溝道類型。

3. **技術優勢:**
- **Trench 技術:** 增強了導通能力和熱穩定性,適合於高功率、高頻率開關和高效能量轉換的要求。

領域和模塊應用:

應用示例:

AP6679GP-HF-VB MOSFET適用於以下領域和模組:

- **電源管理和轉換器:** 在負載開關和功率逆變器中,作為電流控制和功率調節的關鍵組件。

- **電池管理系統:** 用於電池充放電管理、電池保護和電池組電流控制,確保系統的安全性和效率。

- **電動車充電器:** 在電動汽車充電系統中,作為DC-DC變換器和充電控制器的開關元件,提供高效的充電和能量轉換。

- **電機驅動器:** 用於控制和驅動小型電機或執行器,通過其高漏極電流和低導通電阻,實現精確的電動機控制和高效的能量轉換。

這些示例展示了AP6679GP-HF-VB在多個功率控制和能源管理應用中的潛力,顯示其在電力電子領域中的重要性和廣泛適用性。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

* 如果您對產品有任何問題,請填寫表格提交,我們會24小時內回復您

打樣申請

QQ諮詢

電話諮詢

400-655-8788

微信諮詢

一鍵置頂

打樣申請
線上諮詢
電話諮詢
微信諮詢