AP6982M-VB - VBsemi MOSFETs製造商

AP6982M-VB 產品詳細

描述
參數
應用
技術支援

產品簡介：

產品簡介詳細：

AP6982M-VB 是一款雙N+N溝道MOSFET，採用Trench技術。其主要技術參數如下：

- **包裝類型：** SOP8
- **配置：** 雙N+N溝道
- **最大漏極-源極電壓（VDS）：** 30V
- **最大柵極-源極電壓（VGS）：** ±20V
- **閾值電壓（Vth）：** 1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）：**
- 20mΩ @ VGS = 4.5V
- 16mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）：** 8.5A

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Dual-N+N	30V		1.7V	8.5A		20(mΩ)	16(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Dual-N+N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Dual-N+N	30V		1.7V	8.5A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Dual-N+N	30V		1.7V	8.5A		Trench

詳細參數說明：

1. **包裝類型和配置：** SOP8 封裝，適合於表面貼裝應用，具有較高的集成度和良好的熱性能。

2. **電氣特性：**
- **寬電壓容忍度：** 最大30V的漏極-源極電壓（VDS），適合於中等電壓範圍的應用場合。
- **低導通電阻：** 在不同的柵極-源極電壓下（4.5V和10V），分別為20mΩ和16mΩ，提供了低功耗和高效率的操作。
- **適中的漏極電流：** 最大漏極電流（ID）為8.5A，適用於一般功率負載的開關和控制。

3. **技術優勢：**
- **Trench 技術：** 增強了導通能力和熱穩定性，適合於高功率、高頻率開關和高效能量轉換的要求。

領域和模塊應用：

應用示例：

AP6982M-VB MOSFET適用於以下領域和模組：

- **電源管理和轉換器：** 在DC-DC轉換器、穩壓器和電源適配器中，作為功率開關元件，實現高效的電能轉換和穩定的電源輸出。

- **電池管理系統：** 用於電池充放電管理、電池保護和電池組電流控制，確保電池系統的安全性和效率。

- **消費類電子產品：** 如平板電腦、筆記本電腦等的電源管理電路中，用於提供穩定的電源輸出和節能功能。

- **工業控制和汽車電子：** 在工業自動化和汽車電子系統中，作為電機控制、電動汽車充電管理和電源開關的關鍵組件。

這些示例展示了AP6982M-VB在多個電子應用中的廣泛應用，顯示其在現代電力電子領域中的重要性和高效能力。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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