產品簡介：
產品簡介
BSC030N03LS G-VB 是一款採用 DFN8 (5x6) 封裝的單通道 N 溝道 MOSFET，設計用於低電壓、高電流應用。該 MOSFET 的漏極-源極耐壓為 30V，柵極-源極耐壓為 ±20V，柵極閾值電壓為 1.7V。它在 4.5V 的柵極驅動電壓下具有 9mΩ 的導通電阻，在 10V 的柵極驅動電壓下為 7mΩ。最大漏極電流可達 80A，採用先進的 Trench 技術製造，適用於高效率的電源管理和電流開關應用。
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產品參數：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
80A |
|
9(mΩ) |
7(mΩ) |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
80A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
80A |
|
Trench |
參數說明
- **型號**: BSC030N03LS G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單通道 N 溝道 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 80A
- **技術**: Trench 技術
領域和模塊應用：
應用領域
BSC030N03LS G-VB 適用於以下領域和模組：
- **電源管理**: 在高功率 DC-DC 轉換器中提供高效的電流傳輸和開關控制。
- **電腦和服務器**: 用於電源模組中，優化電源分配，適應高負載需求。
- **電動汽車**: 作為動力系統中的開關元件，處理電池和電機之間的功率流動。
- **工業設備**: 在高電流應用中提供可靠的開關功能，支持設備穩定運行。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
技術支援：
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