BSC093N04LS G-VB - VBsemi MOSFETs製造商

BSC093N04LS G-VB 產品詳細

描述
參數
應用
技術支援

產品簡介：

一、產品簡介

BSC093N04LS G-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET，採用DFN8(5x6)封裝，專為低電壓高電流應用設計。該MOSFET 使用Trench技術，提供極低的導通電阻和較高的電流處理能力，適合各種需要高效率和高可靠性的電子系統，尤其是在功率密集的場合。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	40V		2.5V	70A		6(mΩ)	4.7(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(5X6)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	40V		2.5V	70A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	40V		2.5V	70A		Trench

二、詳細的參數說明

| 參數 | 數值 |
|-----------------|-----------------|
| **封裝類型** | DFN8(5x6) |
| **配置** | 單N溝道 |
| **漏極-源極電壓 (VDS)** | 40V |
| **柵極-源極電壓 (VGS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 2.5V |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 6mΩ @ VGS=4.5V |
| | 4.7mΩ @ VGS=10V |
| **連續漏極電流 (ID)** | 70A |
| **技術** | Trench |

領域和模塊應用：

三、應用領域和模組舉例

1. **DC-DC轉換器**
BSC093N04LS G-VB 在DC-DC轉換器中表現卓越，其低導通電阻和高電流處理能力使其非常適合用於高效電源轉換應用，能夠有效降低功率損耗並提高轉換效率。

2. **電源管理**
在電源管理系統中，如電源開關和電流調節應用，BSC093N04LS G-VB 的高電流承載能力和低RDS(ON)使其成為理想的開關元件，提升系統的整體效率和可靠性。

3. **電動汽車**
對於電動汽車的電池管理和驅動系統，BSC093N04LS G-VB 能夠處理高電流，並提供低導通電阻，從而提高電動汽車的性能和續航能力。

4. **工業電機控制**
在工業電機控制系統中，BSC093N04LS G-VB 提供了高電流處理能力和低導通電阻，確保電機驅動系統的高效和穩定運行。

BSC093N04LS G-VB 以其低導通電阻和高電流處理能力，適用於各種需要高效能和高可靠性的低電壓應用領域。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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