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BSO220N03MD G-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

BSO220N03MD G-VB是一款高性能的雙N溝道MOSFET,採用SOP8封裝,設計用於中低電壓和中電流應用。該MOSFET使用Trench技術,具有較低的導通電阻和雙N溝道配置,能夠在20V的漏源極電壓下穩定工作,並提供每個溝道最大7.1A的漏極電流。其設計使其適用於多種電源管理和開關應用,為系統提供高效、可靠的性能。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A 26(mΩ) 19(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A Trench
詳細參數說明

- **型號**: BSO220N03MD G-VB
- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 雙N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 26mΩ @ VGS=4.5V;19mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 7.1A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例

1. **負載開關**:BSO220N03MD G-VB MOSFET在負載開關應用中表現出色。其雙N溝道配置允許它在中低電壓下高效地控制多個負載,同時保持低導通電阻,減少能量損耗,提高系統效率。

2. **電源管理模組**:在電源管理系統中,這款MOSFET能夠處理中等電流負載並提供穩定的開關性能。其低導通電阻和雙N溝道配置使其在電源分配和電流保護應用中表現優異,有助於確保系統的穩定性和高效能。

3. **電動工具**:BSO220N03MD G-VB MOSFET適用於可攜式電動工具的電源開關和控制模組。其中等電流處理能力和低導通電阻確保工具在中負荷條件下的穩定運行和高效能。

4. **DC-DC轉換器**:在DC-DC轉換器中,這款MOSFET能夠在較低電壓和中等電流下提供穩定的開關性能。其雙N溝道設計和低導通電阻幫助減少功率損耗,提高轉換器的效率,從而提升整體系統性能。

5. **通信設備**:BSO220N03MD G-VB MOSFET適用於通信設備中的開關和功率管理模組,能夠在中低電壓條件下高效工作,提供可靠的電源控制和保護功能,確保通信設備的穩定運行。

BSO220N03MD G-VB憑藉其雙N溝道配置、高效的導通性能和低導通電阻,在這些應用中展現出色的性能,是多種電源管理和開關應用中的理想選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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