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BSZ180P03NS3 G-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

**型號:BSZ180P03NS3 G-VB**

BSZ180P03NS3 G-VB是一款高性能單P溝道MOSFET,採用DFN8(3x3)封裝。該器件專為需要高效率和低導通損耗的應用設計,適合在-30V的漏源電壓下工作。它具有出色的導通電阻和高電流承載能力,非常適用於負載開關和電源管理等場合,能夠有效提升系統的整體性能和可靠性。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-P -30V -2.5V -45A 18(mΩ) 11(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-P -30V -2.5V -45A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-P -30V -2.5V -45A Trench
詳細參數說明

- **封裝類型**:DFN8(3x3)
- **配置**:單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:-30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:-2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS=4.5V
- 11mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:-45A
- **技術**:Trench

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例

**1. 電源開關**
BSZ180P03NS3 G-VB在電源開關應用中表現出色,能夠高效地控制負載電流。特別是在負電壓電源管理系統中,如負電源軌開關和負電流保護電路中,它的低導通電阻和高電流承載能力確保了高效能和穩定性。

**2. 電動汽車**
在電動汽車的電池管理系統和逆變器中,BSZ180P03NS3 G-VB可用作負載開關和電流控制器。由於其低導通電阻和較高的耐壓能力,這款MOSFET能夠幫助提高電池管理系統的整體效率和可靠性。

**3. 通信設備**
在通信設備如無線基站和網路路由器的電源管理模組中,BSZ180P03NS3 G-VB可以用於負電源切換和電流保護。這些設備要求穩定的負電源輸出和低功耗,因此該MOSFET的特性非常適合這些應用。

**4. 工業自動化**
在工業自動化系統中,如伺服驅動器和電機控制器,BSZ180P03NS3 G-VB能夠提供可靠的負載開關功能。其低導通電阻能夠減少功率損耗,提升系統的效率,並延長設備的使用壽命。

綜上所述,BSZ180P03NS3 G-VB由於其高電流承載能力、低導通電阻和良好的耐壓特性,廣泛適用於需要高效負載開關和電源管理的各種應用領域,能夠有效提升系統的整體性能。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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