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BUK7509-75A-VB 產品詳細

產品簡介:

一、BUK7509-75A-VB 產品簡介

BUK7509-75A-VB 是 NXP Semiconductors 提供的一款高性能單 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO-220。這款 MOSFET 採用先進的 Trench 技術設計,具有 80V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS) 規格。在 4.5V 柵源電壓下,其導通電阻為 9mΩ,而在 10V 柵源電壓下,導通電阻進一步降低至 7mΩ。BUK7509-75A-VB 支持高達 100A 的連續漏極電流 (ID),非常適合需要高電流和低導通損耗的應用場景。其優異的開關性能和低功耗特性使其在電源管理、功率轉換和電動機驅動等領域表現卓越。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A 9(mΩ) 7(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
二、BUK7509-75A-VB 詳細參數說明

| 參數 | 值 | 單位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 產品型號 | BUK7509-75A-VB | |
| 封裝 | TO-220 | |
| 配置 | 單 N 溝道 | |
| 漏源電壓 (VDS) | 80 | V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20 | V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3 | V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 9 (VGS = 4.5V) | mΩ |
| | 7 (VGS = 10V) | mΩ |
| 連續漏極電流 (ID) | 100 | A |
| 暫態脈衝漏極電流 (ID(pulse)) | 200 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 125 | W |
| 工作溫度範圍 | -55 至 +175 | °C |
| 存儲溫度範圍 | -55 至 +175 | °C |
| 技術 | Trench | |

領域和模塊應用:

三、應用領域和模組示例

BUK7509-75A-VB 的高電流處理能力和低導通電阻使其在多個領域和應用中表現出色,以下是幾個具體的應用示例:

1. **電源管理**:在高功率開關電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉換器中,BUK7509-75A-VB 能夠作為高效的開關元件,低導通電阻有助於減少能量損耗,提高電源轉換效率。這對於高性能電源供應和節能設計至關重要。

2. **電動機驅動**:由於其能夠處理高電流負載,這款 MOSFET 非常適用於電動汽車、電動工具以及工業電動機驅動系統。它能夠實現高效的電機控制和精確調速,滿足對高電流和高可靠性的要求。

3. **功率轉換系統**:在工業功率轉換器和逆變器中,BUK7509-75A-VB 可以處理大電流負載,確保系統的穩定性和可靠性。它廣泛應用於太陽能逆變器和不間斷電源 (UPS) 中,保證功率轉換的效率和穩定性。

4. **電池管理系統**:在電池管理系統 (BMS) 中,該 MOSFET 能夠處理高電流負載,提供過流保護和電池切換功能。其低導通電阻和高電流能力可以提高電池系統的安全性和性能,確保在各種工作條件下的穩定運行。

這些應用示例展示了 BUK7509-75A-VB 在高電流處理、低導通損耗和高效開關的場景中的關鍵作用。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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