產品參數：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
40V |
|
3V |
180A |
|
15(mΩ) |
2(mΩ) |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
40V |
|
3V |
180A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
40V |
|
3V |
180A |
|
Trench |
詳細參數說明
- **V_DS（漏源電壓）**: 40V
該MOSFET漏極與源極之間能夠承受的最大電壓。
- **V_GS（柵源電壓）**: ±20V
MOSFET柵極與源極之間允許的最大電壓。
- **V_th（柵極閾值電壓）**: 3V
使MOSFET開始導通所需的最小柵源電壓。
- **R_DS(ON)（漏源導通電阻）**:
- 15mΩ @ V_GS = 4.5V
- 2mΩ @ V_GS = 10V
MOSFET在導通狀態下漏極與源極之間的電阻。較低的R_DS(ON)值表明更高的開關效率和更低的功率損耗。
- **I_D（連續漏極電流）**: 180A
MOSFET能夠承受的最大連續漏極電流。
- **技術**: Trench
採用Trench技術，提供低導通電阻和高效性能。
領域和模塊應用：
應用領域
BUK752R3-40C-VB MOSFET適用於多種高電壓和超高電流的應用場景：
1. **電源管理**:
- **高電流電源開關**: 適用於高電流開關應用，如高效開關電源（SMPS），其極低的R_DS(ON)值可以顯著減少功率損耗，提高系統效率。
- **DC-DC轉換器**: 在DC-DC轉換器中提供高效的電力轉換和調節，特別適用於處理極高電流的應用。
2. **電機控制**:
- **電動機驅動**: 在電動機驅動系統中，如工業電機驅動或電動汽車（EV）電機控制，能夠處理高達180A的電流，提供高效、可靠的開關性能。
- **伺服電機**: 在精密伺服電機控制系統中，如機器人和自動化設備，確保穩定的超高電流控制。
3. **汽車應用**:
- **電力分配系統**: 在汽車電力分配系統中處理高電流負載，確保電力系統的可靠性和高效性。
- **電池管理系統（BMS）**: 在混合動力和電動汽車中提升電池管理系統性能，優化超高電流處理能力。
4. **消費電子**:
- **電源供應單元（PSU）**: 適用於高功率消費電子產品中的電源供應單元，如高性能電腦和音響系統，提供高效的電源管理。
- **充電解決方案**: 在超高電流充電應用中，如快速充電系統和高功率充電器，確保高效、可靠的充電過程。
BUK752R3-40C-VB以其極低的導通電阻和高電流處理能力，適合各種高電壓和超高電流的應用需求，確保系統的高效性和可靠性。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
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