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BUK753R4-30B-VB 產品詳細

產品簡介:

BUK753R4-30B-VB 產品簡介

BUK753R4-30B-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,採用TO220封裝,專為高電流和低導通電阻的應用設計。該MOSFET具有30V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),以及1.7V的閾值電壓(Vth)。它採用先進的溝槽(Trench)技術,提供非常低的導通電阻,在VGS為4.5V時的導通電阻為4mΩ,在VGS為10V時為3mΩ,最大漏極電流(ID)為120A。BUK753R4-30B-VB特別適合用於高電流開關應用和高效電源管理,能夠在高負載條件下保持卓越的性能和穩定性。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A 4(mΩ) 3(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
BUK753R4-30B-VB 詳細參數說明

| 參數 | 值 | 單位 |
|------------------|-------------------|------|
| 封裝類型 | TO220 | |
| 配置 | 單N溝道 | |
| 漏源電壓 (VDS) | 30 | V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20 | V |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.7 | V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 4 (VGS=4.5V) | mΩ |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 3 (VGS=10V) | mΩ |
| 最大漏極電流 (ID) | 120 | A |
| 技術 | 溝槽(Trench) | |

領域和模塊應用:

BUK753R4-30B-VB 適用領域和模組

1. **高電流開關(High-Current Switching)**:
BUK753R4-30B-VB在高電流開關應用中表現出色,特別適合處理高電流負載的場合。其極低的導通電阻(3mΩ至4mΩ)和高電流能力(120A)能夠有效減少功率損耗,提高系統效率,並確保系統在高負載條件下穩定運行。

2. **電機驅動(Motor Drives)**:
在電機驅動應用中,該MOSFET能夠處理高電流負載,適用於直流電機和無刷電機(BLDC)的驅動。其高電流處理能力和低導通電阻確保了電機的高效控制和穩定運行,適合用於要求較高的電機驅動系統。

3. **DC-DC轉換器(DC-DC Converters)**:
BUK753R4-30B-VB在DC-DC轉換器中表現優異,適合用於高電流和高效轉換的應用。其低導通電阻有助於提高轉換器的效率,減少功率損耗,增強系統的整體性能和穩定性。

4. **電池管理系統(Battery Management Systems)**:
在電池管理系統中,該MOSFET能夠有效控制高電流負載,適用於電池保護和負載開關。其高電流處理能力和低導通電阻有助於提高電池的使用壽命和系統的穩定性。

5. **工業電源(Industrial Power Supplies)**:
該MOSFET適用於各種工業電源應用,特別是在需要處理高電流和高效開關的場合。其高電流能力和低導通電阻使其能夠滿足高功率需求,確保系統的高效和穩定運行。

BUK753R4-30B-VB憑藉其高電流處理能力和極低的導通電阻,適用於各種需要高效和穩定性能的應用,為電源管理、電機驅動和開關應用提供了可靠的解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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