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CEM2187-VB 產品詳細

產品簡介:

一、CEM2187-VB產品簡介

CEM2187-VB是一款雙通道P型和N型MOSFET組合,採用SOP8封裝。這款MOSFET的設計目標是提供優良的雙向開關性能和低導通電阻,適用於各種需要高開關效率和精確控制的電子應用。它具有-20V的漏源電壓(VDS),±20V的柵源電壓(VGS),以及-1.2V的閾值電壓(Vth)。在柵源電壓為4.5V和10V時,導通電阻分別為18毫歐和16毫歐,最大連續漏極電流(ID)為-8.9A。CEM2187-VB採用Trench工藝技術,確保了在低功耗和高效能之間的良好平衡,適合多種功率管理和信號處理應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-P+P -20V -1.2V -8.9A 16mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-P+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-P+P -20V -1.2V -8.9A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-P+P -20V -1.2V -8.9A Trench
二、CEM2187-VB詳細參數說明

1. **基本參數**:
- **型號**:CEM2187-VB
- **封裝**:SOP8
- **配置**:雙P型+N型(Dual-P+P-Channel)

2. **電氣參數**:
- **漏源電壓(VDS)**:-20V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-1.2V

3. **導通特性**:
- **P型通道導通電阻(RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS=4.5V
- 16mΩ @ VGS=10V
- **N型通道導通電阻(RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS=4.5V
- 16mΩ @ VGS=10V
- **最大連續漏極電流(ID)**:-8.9A

4. **技術**:
- **工藝技術**:Trench

領域和模塊應用:

三、應用領域及模組舉例

CEM2187-VB由於其雙通道設計和優良的電氣特性,適用於多種應用領域和模組:

1. **電源管理**:
- **應用**:電源開關、DC-DC轉換器、電池管理系統
- **描述**:CEM2187-VB的低導通電阻和雙通道設計使其在電源管理應用中非常高效,能夠有效減少功耗並提升開關效率,適合用於電源開關和轉換器中,實現高效的功率轉換和電池管理。

2. **信號開關**:
- **應用**:模擬開關、數字開關
- **描述**:在信號開關應用中,CEM2187-VB的雙通道配置使其能夠在單個封裝中提供多通道開關功能,非常適合用於模擬和數字信號的切換和控制,確保信號傳輸的準確性和可靠性。

3. **電機驅動**:
- **應用**:電動機驅動電路、電動工具、家用電器
- **描述**:在電機驅動應用中,CEM2187-VB能夠有效控制電機的啟停和調速,其雙通道設計使其能夠提供更靈活的控制選項,提高電機驅動系統的性能和可靠性。

4. **工業控制**:
- **應用**:PLC模組、繼電器替代、工業自動化
- **描述**:CEM2187-VB的高開關效率和耐用性使其適用於工業控制系統,能夠替代傳統的繼電器,提供更快速的開關操作和更高的系統穩定性。

通過這些應用實例,CEM2187-VB展示了其在各種領域中的廣泛適用性,證明了其作為高效、可靠的雙通道MOSFET的優勢。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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