產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±20V |
|
1.0/-1.2V |
15/-8.5A |
10/20mΩ |
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±20V |
|
1.0/-1.2V |
15/-8.5A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±20V |
|
1.0/-1.2V |
15/-8.5A |
|
Trench |
詳細參數說明
| **參數** | **值** |
|------------------------|-----------------------------|
| **封裝形式** | SOP8 |
| **配置** | 雙N+P-Channel |
| **VDS(漏極-源極電壓)** | ±20V |
| **VGS(柵極-源極電壓)** | ±12V |
| **Vth(閾值電壓)** | 1.0V(N-Channel) / -1.2V(P-Channel) |
| **RDS(ON)(導通電阻)@ VGS=2.5V** | 10mΩ(N-Channel) / 20mΩ(P-Channel) |
| **RDS(ON)(導通電阻)@ VGS=4.5V** | 6mΩ(N-Channel) / 16mΩ(P-Channel) |
| **ID(連續漏極電流)** | 15A(N-Channel) / -8.5A(P-Channel) |
| **技術** | 溝槽技術 |
領域和模塊應用:
應用領域示例
CEM2539-VB MOSFET具有廣泛的應用領域,適用於以下場景:
1. **電源管理**: 雙N+P-Channel配置使其非常適合用於電源管理電路,如DC-DC轉換器和電池管理系統。其低導通電阻和高電流處理能力能夠有效提升功率轉換效率,減少功率損耗,廣泛應用於各種消費電子產品、電腦電源和汽車電子設備中。
2. **電機驅動**: CEM2539-VB MOSFET適用於電機控制電路,能夠處理高電流負載。其雙N+P-Channel配置支持高效的電機驅動和控制,適用於小型電機控制、機器人驅動系統和電動工具等應用。
3. **開關電路**: 在負載開關電路中,MOSFET的高電流處理能力和低導通電阻使其成為理想的選擇。它可以用來高效地控制不同類型的負載,廣泛應用於家用電器、工業控制和通信設備中的電源開關。
4. **LED照明**: CEM2539-VB MOSFET在LED驅動電路中也有應用。其低導通電阻能夠有效調節電流,並提供穩定的驅動,適合用於各種LED照明系統,包括室內照明、戶外照明和智能燈光控制系統。
5. **電池保護**: 由於其雙N+P-Channel配置和良好的熱性能,該MOSFET也適用於電池保護電路。它可以用來在電池充放電過程中提供有效的保護,防止過電流或短路情況發生,從而確保電池的安全性和長壽命。
總之,CEM2539-VB MOSFET是一款多用途、高性能的組件,適合於需要高效開關、精確控制和高電流處理的各種電子應用。其雙N+P-Channel配置和溝槽技術使其在多個領域中表現優異。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性