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CEM6336-VB 產品詳細

產品簡介:

一、CEM6336-VB產品簡介

CEM6336-VB是一款單通道N溝道MOSFET,封裝形式為SOP8。這款MOSFET採用了先進的Trench技術,設計用於高效的電源開關和控制應用。它的最大漏源電壓為60V,適合用於中等電壓範圍的應用。CEM6336-VB的閾值電壓為1.7V,使其能夠在較低的柵極電壓下有效導通。其導通電阻在4.5V柵極電壓下為35mΩ,在10V柵極電壓下為25mΩ,提供了良好的電流傳輸性能。其最大漏極電流為7.6A,使其能夠處理中等電流負載。CEM6336-VB的高效開關能力和低導通電阻使其在多種電子應用中表現出色,特別是在需要中等電壓和電流控制的場合。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 60V 1.7V 7.6A 25mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 60V 1.7V 7.6A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 60V 1.7V 7.6A Trench
二、CEM6336-VB詳細參數說明

| 參數 | 數值 | 說明 |
| --- | --- | --- |
| 封裝 | SOP8 | 標準小外形封裝,適用於緊湊設計 |
| 配置 | Single-N-Channel | 單通道N溝道MOSFET |
| 漏源電壓 (VDS) | 60V | 最大漏源電壓 |
| 柵源電壓 (VGS) | 20(±V) | 最大柵源電壓 |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.7V | N溝道MOSFET的閾值電壓 |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 35mΩ@VGS=4.5V,25mΩ@VGS=10V | 不同柵極電壓下的導通電阻 |
| 漏極電流 (ID) | 7.6A | 最大連續漏極電流 |
| 技術 | Trench | 先進的溝槽技術,降低導通電阻和開關損耗 |

領域和模塊應用:

三、CEM6336-VB的應用領域和模組

CEM6336-VB由於其優良的電氣性能和適中的電壓、電流規格,適用於多種電源管理和開關控制應用。以下是一些典型的應用領域和模組:

1. **電源開關**
- **應用**:DC-DC轉換器、AC-DC適配器、電源管理模組。
- **說明**:CEM6336-VB的N溝道MOSFET配置在電源開關中能夠提供高效的電源轉換和負載開關功能。其低導通電阻和高電流承載能力提高了電源效率,減少了能量損耗,適合用於中等電壓範圍的電源管理系統。

2. **電機驅動**
- **應用**:電動玩具、電動工具、小型電機控制系統。
- **說明**:在電機驅動電路中,CEM6336-VB能夠有效控制電機的開關操作,提供穩定的電流傳輸。其高電流承載能力和低導通電阻確保電機在負載變化時能夠平穩運行。

3. **負載開關**
- **應用**:便攜設備中的負載開關,如智能手機、平板電腦、家用電器。
- **說明**:CEM6336-VB的高效開關能力和適中的導通電阻在負載開關應用中能夠提高設備的整體性能,延長電池壽命。其SOP8封裝適合在空間受限的應用場合提供可靠的開關控制。

4. **保護電路**
- **應用**:過壓保護、過流保護、過溫保護電路。
- **說明**:在保護電路中,CEM6336-VB能夠作為開關元件使用,有效保護電路免受電壓尖峰和電流超載的損害。其高電流能力和穩定的電氣性能增強了電路的保護功能。

5. **開關電路**
- **應用**:開關模式電源、負載切換、信號切換。
- **說明**:CEM6336-VB的低導通電阻和良好的開關特性確保了開關電路的高效性和可靠性。其單通道N溝道設計適用於各種開關電路,提供了靈活的配置選項,適合多種應用場景。

CEM6336-VB憑藉其優秀的電氣性能和靈活的應用範圍,為現代電子設備提供了高效的電源管理和開關控制解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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