產品參數：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
500V |
|
3.1V |
13A |
|
|
660mΩ |
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
500V |
|
3.1V |
13A |
|
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
500V |
|
3.1V |
13A |
|
Plannar |
詳細參數說明
- **VDS（漏源電壓）：** 500V
最大漏源電壓為500V，使得CEP730G-VB 能夠處理高電壓應用，適合於需要高耐壓的電力開關和控制電路。
- **VGS（柵源電壓）：** ±30V
MOSFET的柵源電壓最大為±30V，確保在操作過程中具有良好的穩定性和安全性。
- **Vth（閾值電壓）：** 3.1V
MOSFET在柵源電壓達到3.1V時開始導通，適用於中高閾值電壓要求的應用。
- **RDS(ON)（漏源導通電阻）：**
- 660mΩ @ VGS=10V
儘管導通電阻相對較高，但在500V的高耐壓條件下仍提供了合理的性能，確保穩定的開關行為和功率管理。
- **ID（連續漏電流）：** 13A
能夠處理高達13A的連續電流，適用於高功率的電力開關和控制系統，確保系統的可靠性和性能。
領域和模塊應用：
應用舉例
CEP730G-VB MOSFET 的高耐壓和良好的電流處理能力使其在多個高電壓和高功率應用領域中表現優異，以下是一些典型的應用領域：
1. **電力開關：**
- 在電力開關系統中，CEP730G-VB 能夠處理高達500V的電壓，適用於高電壓電源的開關和控制，例如電源轉換器和大功率電機驅動電路，確保穩定和高效的電力開關操作。
2. **高壓電源：**
- 在高壓電源應用中，該MOSFET 的高耐壓和高電流處理能力使其適合用於高壓電源模組和高電壓DC-DC轉換器，提供穩定的電力轉換和管理功能。
3. **工業電源：**
- 在工業電源系統中，CEP730G-VB 的高電壓耐受性和適中的導通電阻，使其適合用於工業設備的電源開關和控制，確保設備的穩定運行和高效能。
4. **電機驅動：**
- 在電機驅動系統中，CEP730G-VB 能夠處理高電壓和高電流，適用於高功率電機的開關和控制，提高系統的效率和可靠性，確保電機的穩定運行。
5. **變頻器：**
- 在變頻器中，CEP730G-VB 的高耐壓特性和電流處理能力使其適合用於高電壓變頻器電路，提供高效的功率開關和控制功能，優化變頻器的性能和穩定性。
CEP730G-VB MOSFET 憑藉其高耐壓和穩定的性能，成為高電壓和高功率應用中的理想選擇，為各種高功率電力管理系統提供了可靠和高效的解決方案。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
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