產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.8/-1.7V |
10/-8A |
|
|
11/21mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.8/-1.7V |
10/-8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.8/-1.7V |
10/-8A |
|
Trench |
CHM8401JPT-VB MOSFET 詳細參數說明
1. **封裝**
- **類型**:SOP8
2. **配置**
- **類型**:雙N通道和P通道
3. **電氣參數**
- **漏源電壓(VDS)**:±30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**
- **N通道**:1.8V
- **P通道**:-1.7V
4. **導通電阻**
- **N通道**
- **RDS(ON) @ VGS=4.5V**:13mΩ
- **RDS(ON) @ VGS=10V**:11mΩ
- **P通道**
- **RDS(ON) @ VGS=4.5V**:28mΩ
- **RDS(ON) @ VGS=10V**:21mΩ
5. **電流**
- **N通道最大漏極電流(ID)**:10A
- **P通道最大漏極電流(ID)**:-8A
6. **技術**
- **製造工藝**:溝槽(Trench)技術
領域和模塊應用:
CHM8401JPT-VB MOSFET 應用領域和模組
1. **電源開關**
- **應用實例**:CHM8401JPT-VB MOSFET可以廣泛應用於電源開關模組,如電源管理系統和電源適配器。雙MOSFET配置使其能夠處理正負電源開關,適用於各種電壓電源的切換和控制,提高系統的整體效率和穩定性。
2. **電機控制**
- **應用實例**:在電機控制系統中,CHM8401JPT-VB MOSFET適用於電動汽車和工業電機驅動模組。N通道和P通道MOSFET的組合能夠提供雙向控制,適合於電機正反轉控制和速度調節。
3. **負載開關**
- **應用實例**:CHM8401JPT-VB MOSFET非常適合用於負載開關應用,例如電池管理系統中的負載開關。N通道MOSFET可以用於低側開關,P通道MOSFET可以用於高側開關,實現對負載的有效控制。
4. **電池保護**
- **應用實例**:在電池保護電路中,CHM8401JPT-VB MOSFET能夠用於過電壓、過電流保護。N通道和P通道MOSFET的組合允許在不同的工作條件下切換,保護電池免受損壞。
5. **高效開關電源**
- **應用實例**:CHM8401JPT-VB MOSFET適用於高效開關電源(SMPS)設計,如AC-DC和DC-DC轉換器。其低導通電阻和高電流處理能力確保了開關操作中的高效能和低功耗。
CHM8401JPT-VB MOSFET憑藉其雙通道設計、高電流處理能力和低導通電阻,廣泛適用於各種電源管理和功率控制應用,提供高效、可靠的解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性