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CMP100NO4B-VB 產品詳細

產品簡介:

一、CMP100NO4B-VB 型號的產品簡介

CMP100NO4B-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,封裝形式為TO220。這款MOSFET 採用了先進的Trench技術,具有40V的漏源極電壓(VDS)和±20V的柵源極電壓(VGS)。其柵極閾值電壓(Vth)為3V,導通電阻(RDS(ON))在VGS=10V時為2mΩ,在VGS=4.5V時為15mΩ,漏極電流(ID)最大為180A。CMP100NO4B-VB 設計用於高電流、大功率應用,特別適用於需要高效率和低導通損耗的電路。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A 2mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A Trench
二、CMP100NO4B-VB 型號的詳細參數說明

| 參數 | 數值 | 單位 |
| ------------------- | ----------------- | ------ |
| 封裝 | TO220 | |
| 配置 | 單N溝道 | |
| 漏源極電壓 (VDS) | 40 | V |
| 柵源極電壓 (VGS) | ±20 | V |
| 柵極閾值電壓 (Vth) | 3 | V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) @VGS=4.5V | 15 | mΩ |
| 導通電阻 (RDS(ON)) @VGS=10V | 2 | mΩ |
| 漏極電流 (ID) | 180 | A |
| 技術 | Trench | |

領域和模塊應用:

三、CMP100NO4B-VB 的應用領域和模組

CMP100NO4B-VB 的高電流能力和低導通電阻使其非常適用於各種高功率和高效能應用:

1. **電力轉換器和逆變器**:CMP100NO4B-VB 在電力轉換器和逆變器中用作主要的開關元件,其低導通電阻和高漏極電流能力能夠顯著提高轉換效率和降低功耗,適合用於太陽能逆變器、UPS系統和電動汽車充電站等應用。

2. **電動汽車驅動系統**:在電動汽車的驅動系統中,該MOSFET 可以處理高電流負載,確保電機控制的高效性。其優異的開關性能和低導通損耗幫助提升電動汽車的動力傳輸效率和續航能力。

3. **高功率DC-DC轉換器**:CMP100NO4B-VB 在高功率DC-DC轉換器中能夠有效地控制電源的開關,支持高電流應用。適用於數據中心、伺服器電源模組和工業電源系統等需要高效能和穩定電力供應的場景。

4. **功率放大器**:在高功率放大器中,CMP100NO4B-VB 可用於高效的功率開關,確保放大器的穩定性和性能。其低導通電阻和高漏極電流能力有助於減少功耗和發熱,提升整體系統的可靠性。

5. **電源管理電路**:該MOSFET 還適用於各種電源管理電路中,如電源開關、過流保護和電池管理系統。其高電流處理能力和低導通電阻有助於提升電源管理的效率和可靠性。

6. **工業設備**:在工業設備中,CMP100NO4B-VB 可用於高電流和高功率應用,如電機驅動、加熱器控制和高功率開關電路。其堅固的性能和高效的開關特性使其適合在嚴苛環境下運行。

CMP100NO4B-VB 由於其優異的高電流能力和低導通電阻,在需要高功率、高效能的應用中表現突出,是許多現代高效能電路的理想選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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