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CMT05N50N220-VB 產品詳細

產品簡介:

CMT05N50N220-VB MOSFET 產品簡介

CMT05N50N220-VB是一款高壓單N溝道MOSFET,封裝形式為TO220,採用了平面(Planar)技術製造。該器件能夠承受高達600V的漏源電壓(VDS),並且能夠處理8A的漏極電流(ID)。它的閾值電壓(Vth)為3.5V,適合於各種高電壓開關和控制應用。CMT05N50N220-VB的導通電阻(RDS(ON))在VGS=4.5V時為1070mΩ,在VGS=10V時為780mΩ,使其在高電壓環境中表現穩定且可靠。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A 780mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
CMT05N50N220-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝形式**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:600V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 1070mΩ @ VGS=4.5V
- 780mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:8A
- **技術**:平面(Planar)

領域和模塊應用:

CMT05N50N220-VB MOSFET 應用領域和模組舉例

1. **高壓電源開關(High-Voltage Power Switching)**:
- CMT05N50N220-VB適用於高壓電源開關應用,能夠承受高達600V的漏源電壓。其高耐壓性能使其能夠在高電壓電源開關電路中提供可靠的開關操作,廣泛應用於電力轉換器和電源管理系統。

2. **電源轉換器(Power Converters)**:
- 在電源轉換器中,該MOSFET能夠有效地處理高電壓和中等電流,適用於AC-DC轉換和DC-DC轉換。其穩定的導通電阻和高電壓承受能力有助於提高轉換器的整體效率和可靠性。

3. **高壓電機驅動(High-Voltage Motor Drives)**:
- CMT05N50N220-VB在高壓電機驅動系統中表現優異,適用於需要高電壓和高電流的電機驅動應用。它能夠在高電壓環境下穩定運行,確保電機的高效驅動和精確控制。

4. **逆變器(Inverters)**:
- 在逆變器應用中,該MOSFET能夠處理高電壓開關任務,適合用於太陽能逆變器和其他高電壓逆變器設計。其優異的電壓承受能力和低導通電阻有助於提高逆變器的效率和性能。

5. **電源保護(Power Protection)**:
- CMT05N50N220-VB也可用於電源保護電路,如過壓保護和過流保護。其高電壓和高電流能力使其能夠在保護電路中提供可靠的性能,確保電源系統的安全和穩定。

通過這些應用示例,CMT05N50N220-VB MOSFET展現了其在高電壓環境中的強大適用性和可靠性,適合用於各種需要高電壓、高電流處理的電子電路和系統。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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