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CMT08N50N220-VB 產品詳細

產品簡介:

一、產品簡介

**CMT08N50N220-VB**是一款高性能N溝道MOSFET,採用TO220封裝。它的設計旨在提供高效、可靠的開關性能,適用於各種應用場景。其主要特點包括500V的漏源電壓(VDS),±30V的柵源電壓(VGS),以及在VGS=10V時的660mΩ的導通電阻(RDS(ON))。該MOSFET能夠承載高達13A的漏極電流(ID),採用了平面技術,確保了穩定的電氣性能和長壽命。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A 660mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A Plannar
二、詳細參數說明

1. **基本參數**
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **技術**:平面

2. **電氣參數**
- **漏源電壓(VDS)**:500V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.1V
- **導通電阻(RDS(ON))**:660mΩ@VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:13A

3. **熱學參數**
- **結溫範圍(Tj)**:-55°C至+150°C
- **熱阻(結到殼體)(RθJC)**:典型值0.83°C/W

4. **動態參數**
- **輸入電容(Ciss)**:1400pF
- **輸出電容(Coss)**:110pF
- **反向傳輸電容(Crss)**:5pF

領域和模塊應用:

三、應用領域和模組示例

**CMT08N50N220-VB**的高電壓和電流承載能力使其在許多應用領域表現出色。以下是一些具體應用示例:

1. **開關電源(SMPS)**
- 在開關電源中,該MOSFET可以作為開關元件,用於控制電流的導通和關斷,實現電能的高效轉換和穩定輸出。其高電壓和低導通電阻特性確保了高效的功率傳輸。

2. **電機驅動**
- 在電機控制系統中,該MOSFET可以用於驅動直流電機或無刷直流電機(BLDC),提供高效的電能轉換和精確的電流控制,適用於工業自動化設備、家用電器等領域。

3. **照明控制**
- 在LED照明控制中,該MOSFET可以作為調光電路的開關元件,控制LED燈的亮度。其高電壓特性使其適用於大功率LED照明系統。

4. **逆變器和變頻器**
- 在逆變器和變頻器應用中,該MOSFET可以用於電能的轉換和調節,特別是在太陽能逆變器和電動汽車充電器中,提供高效的電能管理。

通過以上應用示例可以看出,**CMT08N50N220-VB**在高壓、大電流的應用場景中具有廣泛的適用性和優越的性能,能夠滿足不同領域對可靠性和效率的要求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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