產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
500V |
|
3.1V |
13A |
|
|
660mΩ |
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
500V |
|
3.1V |
13A |
|
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
500V |
|
3.1V |
13A |
|
Plannar |
二、詳細參數說明
1. **基本參數**
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **技術**:平面
2. **電氣參數**
- **漏源電壓(VDS)**:500V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.1V
- **導通電阻(RDS(ON))**:660mΩ@VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:13A
3. **熱學參數**
- **結溫範圍(Tj)**:-55°C至+150°C
- **熱阻(結到殼體)(RθJC)**:典型值0.83°C/W
4. **動態參數**
- **輸入電容(Ciss)**:1400pF
- **輸出電容(Coss)**:110pF
- **反向傳輸電容(Crss)**:5pF
領域和模塊應用:
三、應用領域和模組示例
**CMT08N50N220-VB**的高電壓和電流承載能力使其在許多應用領域表現出色。以下是一些具體應用示例:
1. **開關電源(SMPS)**
- 在開關電源中,該MOSFET可以作為開關元件,用於控制電流的導通和關斷,實現電能的高效轉換和穩定輸出。其高電壓和低導通電阻特性確保了高效的功率傳輸。
2. **電機驅動**
- 在電機控制系統中,該MOSFET可以用於驅動直流電機或無刷直流電機(BLDC),提供高效的電能轉換和精確的電流控制,適用於工業自動化設備、家用電器等領域。
3. **照明控制**
- 在LED照明控制中,該MOSFET可以作為調光電路的開關元件,控制LED燈的亮度。其高電壓特性使其適用於大功率LED照明系統。
4. **逆變器和變頻器**
- 在逆變器和變頻器應用中,該MOSFET可以用於電能的轉換和調節,特別是在太陽能逆變器和電動汽車充電器中,提供高效的電能管理。
通過以上應用示例可以看出,**CMT08N50N220-VB**在高壓、大電流的應用場景中具有廣泛的適用性和優越的性能,能夠滿足不同領域對可靠性和效率的要求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性