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CSD17306Q5A-VB 產品詳細

產品簡介:

CSD17306Q5A-VB MOSFET 產品簡介

CSD17306Q5A-VB 是一款單N溝道功率MOSFET,專為低電壓、高電流應用設計,封裝為DFN8(5x6)。它具備30V的漏源極電壓(VDS)和±20V的柵源極電壓(VGS),適用於各種高效能電源管理和開關電路。憑藉1.7V的閾值電壓(Vth)和極低的導通電阻(RDS(ON)),在VGS=4.5V時為2.5mΩ,在VGS=10V時為1.8mΩ,該器件能夠處理高達160A的漏極電流(ID)。CSD17306Q5A-VB 採用了先進的Trench技術,實現了低導通損耗和出色的開關性能,非常適合要求高效率和高可靠性的應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 160A 1.8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 160A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 160A Trench
詳細參數說明

| 參數 | 數值 | 單位 |
|------------------|-----------------------------|-------------|
| 封裝類型 | DFN8(5x6) | - |
| 配置 | 單N溝道 | - |
| 漏源極電壓(VDS) | 30 | V |
| 柵源極電壓(VGS) | ±20 | V |
| 閾值電壓(Vth) | 1.7 | V |
| 導通電阻(RDS(ON)) | 2.5mΩ @ VGS=4.5V | mΩ |
| | 1.8mΩ @ VGS=10V | mΩ |
| 漏極電流(ID) | 160 | A |
| 技術 | Trench | - |

領域和模塊應用:

應用領域和模組

CSD17306Q5A-VB 的高電流處理能力和低導通電阻,使其在以下領域和模組中具備廣泛的應用:

1. **高效電源管理系統**:在DC-DC轉換器、同步降壓轉換器及其他高效電源管理系統中,CSD17306Q5A-VB 提供卓越的導通特性和開關性能,確保系統的高效和穩定。

2. **負載開關電路**:適用於需要高電流開關能力的電子設備和工業控制系統,如電源分配模組和保護電路,該MOSFET能夠快速而可靠地切換高電流負載。

3. **電機驅動應用**:在高電流電機驅動場景中,如電動工具、機器人和工業電機控制系統,CSD17306Q5A-VB 能夠提供高效的電流傳輸和低能耗,支持系統在高負載下穩定運行。

4. **LED驅動器**:在高電流LED照明系統中,CSD17306Q5A-VB 能夠為LED提供穩定的電流,確保亮度均勻和系統高效運行,適用於高亮度和高功率LED驅動應用。

5. **可攜式設備電源模組**:在智能手機、平板電腦和移動電源等可攜式設備中,該MOSFET憑藉其高電流處理能力和低導通損耗,提升設備的電源管理效率,延長電池壽命。

通過這些應用示例,CSD17306Q5A-VB 展示了其在高性能和高效能需求場景中的廣泛適用性。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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