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CSD17309Q3-VB 產品詳細

產品簡介:

一、產品簡介

**CSD17309Q3-VB**是一款採用DFN8(3X3)封裝的高性能N溝道MOSFET,基於Trench技術製造。該MOSFET具備較低的導通電阻和高電流處理能力,能夠承受最高30V的漏源電壓(VDS)和60A的連續漏極電流(ID)。其在低柵極電壓條件下表現出極低的導通電阻,使其在高效能要求的應用中表現出色,特別適用於各種需要快速開關和低功耗的電路設計。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 60A 3.9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 60A Trench
二、詳細參數說明

1. **封裝類型**:DFN8(3X3)
2. **配置**:單N溝道
3. **技術**:Trench
4. **電氣參數**:
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- 3.9mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:60A

5. **熱學參數**:
- **結溫範圍(Tj)**:-55°C至+150°C
- **熱阻(結到環境)(RθJA)**:40°C/W

6. **動態參數**:
- **輸入電容(Ciss)**:4500pF
- **輸出電容(Coss)**:900pF
- **反向傳輸電容(Crss)**:300pF

領域和模塊應用:

三、應用領域和模組示例

**CSD17309Q3-VB**的設計特性使其非常適合以下領域和模組:

1. **電源管理**:
- 由於其低導通電阻和高電流能力,**CSD17309Q3-VB**常用於高效DC-DC轉換器和同步整流電路中,確保低損耗和高轉換效率。

2. **電腦和服務器硬體**:
- 在電腦主板和服務器的電源管理單元中,該MOSFET能夠有效管理電流分配和散熱,尤其在大功率要求的場合中,表現出色。

3. **汽車電子**:
- 在電動汽車和混合動力汽車的電池管理系統(BMS)和電動機控制中,該MOSFET可以用於處理大電流開關,提供可靠的電源控制。

4. **消費電子**:
- 對於智能手機、平板電腦和其他可攜式設備的電池保護和電源管理電路,**CSD17309Q3-VB**提供了高效能的解決方案,延長設備電池壽命。

通過其廣泛的應用領域,**CSD17309Q3-VB**成為電源管理、電腦硬體、汽車電子及消費電子領域的理想選擇,為系統設計提供了高效、可靠的電流控制解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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