產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
60A |
|
|
3.9mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
60A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
60A |
|
Trench |
二、詳細參數說明
1. **封裝類型**:DFN8(3X3)
2. **配置**:單N溝道
3. **技術**:Trench
4. **電氣參數**:
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- 3.9mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:60A
5. **熱學參數**:
- **結溫範圍(Tj)**:-55°C至+150°C
- **熱阻(結到環境)(RθJA)**:40°C/W
6. **動態參數**:
- **輸入電容(Ciss)**:4500pF
- **輸出電容(Coss)**:900pF
- **反向傳輸電容(Crss)**:300pF
領域和模塊應用:
三、應用領域和模組示例
**CSD17309Q3-VB**的設計特性使其非常適合以下領域和模組:
1. **電源管理**:
- 由於其低導通電阻和高電流能力,**CSD17309Q3-VB**常用於高效DC-DC轉換器和同步整流電路中,確保低損耗和高轉換效率。
2. **電腦和服務器硬體**:
- 在電腦主板和服務器的電源管理單元中,該MOSFET能夠有效管理電流分配和散熱,尤其在大功率要求的場合中,表現出色。
3. **汽車電子**:
- 在電動汽車和混合動力汽車的電池管理系統(BMS)和電動機控制中,該MOSFET可以用於處理大電流開關,提供可靠的電源控制。
4. **消費電子**:
- 對於智能手機、平板電腦和其他可攜式設備的電池保護和電源管理電路,**CSD17309Q3-VB**提供了高效能的解決方案,延長設備電池壽命。
通過其廣泛的應用領域,**CSD17309Q3-VB**成為電源管理、電腦硬體、汽車電子及消費電子領域的理想選擇,為系統設計提供了高效、可靠的電流控制解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性