產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SC75-6 |
Dual-N+P |
±20V |
|
1.0/-1.2V |
0.6/-0.3A |
410/840mΩ |
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SC75-6 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SC75-6 |
Dual-N+P |
±20V |
|
1.0/-1.2V |
0.6/-0.3A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SC75-6 |
Dual-N+P |
±20V |
|
1.0/-1.2V |
0.6/-0.3A |
|
Trench |
詳細參數說明
- **型號**: DMC2004VK-VB
- **封裝**: SC75-6
- **配置**: 雙 N 型 + P 型 MOSFET
- **最大漏源電壓 (V_DS)**: ±20V
- **柵源電壓 (V_GS)**: ±12V
- **閾值電壓 (V_th)**:
- N 型: 1.0V
- P 型: -1.2V
- **導通電阻 (R_DS(on))**:
- N 型:
- 410mΩ @ V_GS = 2.5V
- 270mΩ @ V_GS = 4.5V
- P 型:
- 840mΩ @ V_GS = 2.5V
- 660mΩ @ V_GS = 4.5V
- **最大連續漏電流 (I_D)**:
- N 型: 0.6A
- P 型: -0.3A
- **技術**: Trench
領域和模塊應用:
應用領域和模組
1. **開關電源**:
DMC2004VK-VB 的低導通電阻和適中的電流承載能力使其非常適合用於開關電源中。在 DC-DC 轉換器中,它可以有效地作為開關元件,以提高轉換效率和系統性能,特別是在需要高開關頻率的應用中。
2. **負載開關**:
在負載開關應用中,DMC2004VK-VB 可以用於控制電源和負載的開關。其雙 MOSFET 結構(N 型和 P 型)提供了對雙向電流的控制能力,適用於各種開關電路中。
3. **電機驅動**:
在電機驅動電路中,DMC2004VK-VB 的雙 MOSFET 配置允許實現高效的電機控制。它能夠處理電機啟動和運行中的開關操作,特別是在低電壓和小功率電機應用中。
4. **線性穩壓器**:
由於其低導通電阻和穩定的性能,DMC2004VK-VB 可以用於線性穩壓器中的開關應用,幫助提高穩壓器的效率和回應速度。
5. **消費電子產品**:
該 MOSFET 在消費電子產品中也廣泛應用,如手機、平板電腦和其他可攜式設備中。它的低電壓操作特性和高效能使其能夠滿足這些設備中對功率管理和開關控制的需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性