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DMN2027USS-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

**DMN2027USS-VB** 是一種單N溝道MOSFET,封裝為SOP8,採用Trench技術。這款MOSFET能夠在30V的漏源電壓下穩定工作,並具備高達13A的電流承載能力。其低柵極閾值電壓和低導通電阻使其非常適合用於高效能開關和電源管理應用。由於其優異的電氣性能和緊湊的封裝,這款MOSFET在各種電子設備中都能提供可靠的性能和較高的效率。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A 8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
詳細參數說明

- **型號**: DMN2027USS-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 13A
- **技術**: Trench技術

領域和模塊應用:

適用領域和模組示例

**1. 電源管理系統**: DMN2027USS-VB非常適合用於電源管理系統中,例如DC-DC轉換器和電源開關。這款MOSFET的低導通電阻和高電流承載能力可以顯著提高電源效率,並降低功耗,適合用於需要高效能的電源調節應用。

**2. 高效能開關電路**: 這款MOSFET在高效能開關電路中表現出色,如開關電源和負載開關。其低導通電阻和較高的電流能力確保了在高負荷條件下的高效開關性能,從而提高了電路的整體效率。

**3. 可攜式電子設備**: 在可攜式電子設備中,如智能手機、平板電腦和其他消費電子產品,DMN2027USS-VB的緊湊封裝和高效能使其成為理想選擇。它可以用於電源管理、功率開關和保護電路,以提高設備的整體性能和續航能力。

**4. LED驅動電路**: 該MOSFET也適合用於LED驅動電路,能夠穩定控制LED的開關。其低導通電阻和高電流能力有助於減少功耗,提高LED照明系統的效率,並提供可靠的性能。

這些應用示例展示了DMN2027USS-VB MOSFET在各種高效能電源和開關應用中的優越性能,突顯了其在提高系統效率和可靠性方面的重要性。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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