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DMN2040LSD-13-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

**DMN2040LSD-13-VB** 是一款採用 SOP8 封裝的雙極 N 通道 MOSFET,專為低電壓、高效能的開關應用設計。該 MOSFET 的最大漏極到源極電壓(VDS)為 20V,適用於中低電壓的開關和調節應用。DMN2040LSD-13-VB 採用 Trench 技術,具有超低的導通電阻和寬閾值電壓範圍(Vth 為 0.5~1.5V)。在 VGS=10V 時,導通電阻(RDS(ON))為 19mΩ,顯示出優異的導電能力;在 VGS=4.5V 時,RDS(ON) 為 26mΩ,適合於需要低功耗和高電流的應用。其最大漏極電流(ID)為 7.1A,支持高電流負載。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A 19mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A Trench
詳細參數說明

- **型號**:DMN2040LSD-13-VB
- **封裝**:SOP8
- **配置**:雙極 N 通道
- **最大漏極到源極電壓(VDS)**:20V
- **最大柵極到源極電壓(VGS)**:±12V
- **閾值電壓(Vth)**:0.5~1.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 26mΩ(VGS=4.5V)
- 19mΩ(VGS=10V)
- **最大漏極電流(ID)**:7.1A
- **技術**:Trench

領域和模塊應用:

適用領域和模組示例

**DMN2040LSD-13-VB** 的低電阻和高電流能力使其在多種應用領域中表現優異,包括:

1. **電源管理**:
- 在電源管理系統中,DMN2040LSD-13-VB 可用作開關元件,控制電源的開關和調節。其低導通電阻確保了高效的電流傳輸和低功率損耗,適合於高效能電源設計。

2. **DC-DC 轉換器**:
- 在 DC-DC 轉換器應用中,該 MOSFET 能夠提供高效的電流開關。其低 RDS(ON) 和寬閾值電壓範圍使其適合於電壓轉換器,幫助實現高效的電壓調節和穩定輸出。

3. **電機驅動**:
- 在電機控制應用中,DMN2040LSD-13-VB 作為高電流開關元件,能夠控制電機的啟動、停止和調速。其高電流承載能力和低功耗特性,使其適合於驅動中等功率電機系統。

4. **LED 驅動器**:
- 在 LED 驅動電路中,該 MOSFET 可用於控制 LED 的開關狀態和調光功能。其低導通電阻有助於提高驅動器的效率,適用於各種 LED 照明應用,包括顯示幕和照明系統。

5. **負載開關**:
- DMN2040LSD-13-VB 也適用於負載開關應用,能夠高效地控制電流的分配和開關操作。其高電流承載能力和低導通電阻使其在各種高功率負載開關電路中表現出色。

這些應用展示了 DMN2040LSD-13-VB 在需要高電流和低功耗的電路設計中的廣泛適用性,特別是在電源管理、電機控制和 LED 驅動等領域。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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