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DMN3150LW-7-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

**DMN3150LW-7-VB** 是一款高性能的單 N-Channel MOSFET,採用 SC70-3 封裝。這款 MOSFET 設計用於低電壓和高效能應用,其漏源電壓(VDS)為 20V,柵源電壓(VGS)為 ±12V。具有寬閾值電壓範圍(0.5V 至 1.5V),可在低柵極電壓下快速導通。DMN3150LW-7-VB 使用先進的 Trench 技術,提供低導通電阻和優異的開關性能,適用於需要高開關速度和低功耗的應用。最大漏極電流為 4A,使其在許多現代電子設備中表現出色。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A 48mΩ 36mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-3 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A Trench
詳細參數說明

- **型號**: DMN3150LW-7-VB
- **封裝**: SC70-3
- **配置**: 單 N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5V - 1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 48mΩ @ VGS = 2.5V
- 40mΩ @ VGS = 4.5V
- 36mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用:

應用領域和模組舉例

1. **可攜式電子設備**:
- DMN3150LW-7-VB 的小型 SC70-3 封裝和低導通電阻使其成為可攜式電子設備的理想選擇,例如智能手機、平板電腦和可穿戴設備。它可以用作負載開關或用於低功耗 DC-DC 轉換器,有助於提高設備的電源管理效率和電池壽命。

2. **低電壓電源管理**:
- 由於其寬閾值電壓範圍和低導通電阻,DMN3150LW-7-VB 適合用於低電壓電源管理系統。這包括電池供電的設備或需要高效電壓調節的應用,如小型電源適配器和電池管理系統,能夠提供穩定的電源輸出並提高系統效率。

3. **信號開關電路**:
- 在需要快速開關回應的信號開關電路中,DMN3150LW-7-VB 能夠有效控制信號流通,並減少信號衰減。它適用於通信設備、高頻信號處理和數據傳輸模組,保證信號完整性並提高系統的可靠性。

4. **小型 DC-DC 轉換器**:
- DMN3150LW-7-VB 適合用作小型 DC-DC 轉換器中的開關元件。其低導通電阻和高效開關性能使其能夠有效地進行電壓轉換,適用於電源轉換器和電壓調節模組,提高能量轉換效率,廣泛應用於消費電子和移動設備中。

5. **低功耗負載開關**:
- 作為負載開關,DMN3150LW-7-VB 可以高效地管理電源的開啟和關閉狀態,特別是在低功耗應用中。它能夠減少電力浪費並延長電池壽命,適用於各種需要可靠電源控制的小型電子設備,如智能家居產品和可攜式儀器。

DMN3150LW-7-VB 在多種低電壓和低功耗應用中都表現優異,其小型封裝和高效性能使其成為現代電子設備中不可或缺的組件。如果有更多問題或需要進一步的資訊,請隨時聯繫我!
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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