DMN55D0UT-VB - VBsemi MOSFETs製造商

DMN55D0UT-VB 產品詳細

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參數
應用
技術支援

產品簡介：

產品簡介

**DMN55D0UT-VB** 是一款單通道 N-Channel MOSFET，封裝為 SC75-3。這款 MOSFET 具有最大漏源電壓 (VDS) 為 60V，柵源電壓 (VGS) 最高支持 ±20V。它的導通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS = 10V 時為 1200mΩ，在 VGS = 4.5V 時為 2000mΩ，適合低電流應用。該器件採用 Trench 技術，能夠提供高達 0.33A 的最大漏極電流，適合於中等功率和空間受限的電路中。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SC75-3	Single-N	60V		1.7V	0.33A			1200mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SC75-3	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SC75-3	Single-N	60V		1.7V	0.33A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SC75-3	Single-N	60V		1.7V	0.33A		Trench

詳細參數說明

- **封裝**: SC75-3
- **配置**: 單一 N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 2000mΩ @ VGS = 4.5V
- 1200mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 0.33A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用：

應用領域和模組示例

1. **低功率開關**: DMN55D0UT-VB 適用於低功率開關應用，如小型電源開關或信號開關。其適中的導通電阻和封裝尺寸使其成為空間受限應用中的理想選擇。

2. **電池管理系統**: 在電池管理系統中，這款 MOSFET 可以用作保護開關，防止過流和過壓情況，確保電池在安全和高效的工作條件下運行。

3. **可攜式電子設備**: 由於其緊湊的 SC75-3 封裝和適中的電流能力，DMN55D0UT-VB 適合用於可攜式電子設備中的電源控制電路，如小型手持設備和智能設備的開關管理。

4. **小型電機控制**: 在小型電機控制應用中，該 MOSFET 可以用於驅動低功率直流電機或步進電機，確保高效和可靠的電機控制功能。

5. **通信設備**: 在通信設備中，DMN55D0UT-VB 可用於各種信號開關應用，提供穩定的開關性能和可靠性，確保信號傳輸的穩定性。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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