DTM6910-VB - VBsemi MOSFETs製造商

DTM6910-VB 產品詳細

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產品簡介：

產品簡介

DTM6910-VB 是一款高性能 N-溝道 MOSFET，採用 SOP8 封裝，利用 Trench 技術製造，專為處理中高壓和中等電流的應用設計。該 MOSFET 具有較低的導通電阻和快速的開關性能，能夠在緊湊的封裝中提供高效的功率管理解決方案。其設計使其適合用於各種電源管理和開關應用，特別是在需要緊湊佈局的系統中。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-N	100V		1.8V	9A			32mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-N	100V		1.8V	9A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-N	100V		1.8V	9A		Trench

詳細參數說明

- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 單 N-溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 33mΩ @ VGS = 4.5V
- 32mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 9A
- **技術**: Trench 技術

領域和模塊應用：

應用領域和模組舉例

1. **DC-DC 轉換器**: DTM6910-VB 適用於中高電壓的 DC-DC 轉換器設計。其低導通電阻和高電流能力使其能夠在轉換過程中減少能量損耗，從而提高效率。

2. **電源開關**: 該 MOSFET 在電源管理模組中表現優越，尤其是用於高效的電源開關應用。它的緊湊封裝和高效性能使其成為高密度電源管理系統中的理想選擇。

3. **負載開關和保護電路**: DTM6910-VB 適用於各種需要精確控制和保護的負載開關應用。例如，在電機驅動和加熱控制中，它可以有效地控制大電流負載，同時保護電路免受過流和過壓的影響。

4. **逆變器和功率放大器**: 在逆變器和功率放大器設計中，該 MOSFET 的高電壓和中等電流處理能力使其成為關鍵組件，確保設備在高效、穩定的狀態下運行。

這些應用領域展示了 DTM6910-VB 在電源管理和開關電路中的廣泛適用性，其高效能和緊湊設計為各種電路提供了可靠的解決方案。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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