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DTP20N50SJ-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介
DTP20N50SJ-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,封裝為TO220,採用了SJ_Multi-EPI(超結多層外延)技術。這款MOSFET專為高電壓應用設計,具有500V的漏源電壓和20A的漏極電流能力。SJ_Multi-EPI技術提供了卓越的導電性能和開關特性,使其能夠在高電壓和高功率條件下穩定運行。DTP20N50SJ-VB 是電源轉換和工業控制等領域中的理想選擇,特別適用於需要高電流和高電壓的應用場景。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 500V 3.3V 20A 140mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 500V 3.3V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 500V 3.3V 20A SJ_Multi-EPI
詳細參數說明
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:500V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.3V
- **導通電阻(RDS(ON))**:140mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:20A
- **技術**:SJ_Multi-EPI(超結多層外延)技術

領域和模塊應用:

應用領域和模組舉例
1. **電源轉換**:DTP20N50SJ-VB 的高漏源電壓和低導通電阻使其特別適合用於高壓電源轉換器,如開關電源(SMPS)和逆變器。在這些應用中,MOSFET 能夠處理高電壓和大電流,確保電源系統的高效和穩定運行。

2. **工業控制**:在工業自動化和控制系統中,DTP20N50SJ-VB 可以作為功率開關使用,例如在電機控制、電力繼電器驅動和負載保護中。其20A的漏極電流和500V的耐壓能力使其適合處理高功率負載,並確保系統的可靠性和穩定性。

3. **高壓設備**:該MOSFET 還適用於高壓設備和電力電子應用,如高壓測試設備和電力轉換裝置。DTP20N50SJ-VB 的500V耐壓和140mΩ的導通電阻使其在高壓環境下能夠提供高效的開關性能,滿足高壓應用的需求。

DTP20N50SJ-VB 的高電壓承載能力和優良的開關特性,使其在電力電子和工業控制領域中表現出色,為高壓和高功率應用提供了可靠的解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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