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DTP20N65SJ-VB 產品詳細

產品簡介:

DTP20N65SJ-VB MOSFET 產品簡介

DTP20N65SJ-VB 是一款高壓N溝道功率MOSFET,封裝為TO220。它專為高電壓和高電流應用設計,能夠承受高達650V的漏源極電壓。使用SJ_Multi-EPI技術,這款MOSFET在高壓環境中提供了優異的電氣性能和可靠性。它的設計優化了導通電阻,雖然較高,但在處理高電壓和電流的應用中,DTP20N65SJ-VB 提供了有效的開關性能和穩定的電流控制。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A 160mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
DTP20N65SJ-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 160mΩ@VGS=10V
- **最大連續漏極電流 (ID)**: 20A
- **技術類型**: SJ_Multi-EPI

領域和模塊應用:

DTP20N65SJ-VB MOSFET 應用領域與模組

DTP20N65SJ-VB MOSFET 主要用於高電壓電力電子設備和電源管理系統中。其650V的耐壓特性使其特別適合在高壓電源轉換器中使用,例如在電力逆變器、太陽能逆變器和風能逆變器中。它能夠高效地處理和轉換高電壓直流電源,支持系統的穩定性和效率。在開關電源系統中,DTP20N65SJ-VB 可用於高電壓電源的開關和控制,提高系統的功率管理和可靠性。此外,在工業電機驅動系統中,它可以提供高效的電流開關和負載控制,確保電機的平穩運行和高效能。儘管導通電阻相對較高,但其在高電壓應用中的高耐壓和高電流處理能力使其成為關鍵組件,確保設備在高壓環境下的穩定性和可靠性。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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