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DTP5N80SJ-VB 產品詳細

產品簡介:

DTP5N80SJ-VB 產品簡介

DTP5N80SJ-VB 是一款採用 TO220 封裝的單 N 溝道 MOSFET,具備 800V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源電壓 (VGS)。該器件的開啟電壓 (Vth) 為 3.5V,導通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS=10V 時為 1300mΩ,最大連續漏極電流 (ID) 為 5A。DTP5N80SJ-VB 採用 SJ_Multi-EPI 技術,旨在提供高電壓應用中的可靠性和性能。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 5A 1300mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 5A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 5A SJ_Multi-EPI
DTP5N80SJ-VB 參數說明

1. **封裝類型 (Package):** TO220
2. **溝道配置 (Configuration):** 單 N 溝道 (Single N-Channel)
3. **漏源電壓 (VDS):** 800V
4. **柵源電壓 (VGS):** ±30V
5. **開啟電壓 (Vth):** 3.5V
6. **導通電阻 (RDS(ON)):** 1300mΩ @ VGS=10V
7. **最大漏極電流 (ID):** 5A
8. **技術 (Technology):** SJ_Multi-EPI

領域和模塊應用:

適用領域與模組

DTP5N80SJ-VB 主要適用於需要高電壓、高可靠性的應用場合。以下是一些該 MOSFET 適用的領域和模組示例:

1. **電源轉換模組:** 由於其高耐壓特性,DTP5N80SJ-VB 非常適合應用在開關電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉換器中。這些模組通常要求高效的電能轉換,同時能夠承受較高的電壓應力。

2. **工業控制系統:** 在工業控制系統中,尤其是涉及到電機控制和驅動的應用中,該 MOSFET 能夠處理較高的電壓,並提供可靠的開關特性,從而提高系統的穩定性和耐久性。

3. **家電產品:** 例如空調、冰箱等大型家電設備中的電機驅動和電源管理單元,DTP5N80SJ-VB 可以提供高效的功率控制,確保設備的正常運行。

4. **照明系統:** 特別是在 LED 驅動電路中,該器件能夠應對高電壓輸入,並確保系統的穩定性和長壽命。

DTP5N80SJ-VB 的高電壓承受能力和低導通電阻使其成為這些應用場合中的理想選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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