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DTS2012-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

**DTS2012-VB** 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,採用 SC70-3 封裝。該 MOSFET 採用 Trench 技術,具有高效的電流傳導能力和低導通阻抗。DTS2012-VB 的最大漏源電壓 (VDS) 為 20V,適用於低電壓應用。其柵源電壓 (VGS) 額定值為 ±12V,確保了良好的工作穩定性。該 MOSFET 的柵源閾值電壓 (Vth) 範圍為 0.5V 到 1.5V,具有較低的導通阻抗:在不同柵源電壓下分別為 48mΩ (VGS=2.5V),40mΩ (VGS=4.5V) 和 36mΩ (VGS=10V)。其最大漏電流 (ID) 為 4A,使其適合各種小型和中型電流應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A 48mΩ 36mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-3 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A Trench
詳細參數說明

- **封裝**:SC70-3
- **配置**:單 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:20V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±12V
- **柵源閾值電壓 (Vth)**:0.5~1.5V
- **導通阻抗 (RDS(ON))**:
- 48mΩ @ VGS = 2.5V
- 40mΩ @ VGS = 4.5V
- 36mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**:4A
- **技術**:Trench

領域和模塊應用:

適用領域和模組示例

1. **可攜式電子設備**:DTS2012-VB 由於其緊湊的 SC70-3 封裝和低導通阻抗,非常適合用於智能手機、平板電腦等可攜式電子設備中的電源開關和負載驅動。其高效能和小型封裝能夠幫助減少設備的總體尺寸並提升電池壽命。

2. **消費類產品**:在各種消費電子產品中,如可攜式音響和遊戲機,DTS2012-VB 可用於電源管理和電機驅動應用。其低 RDS(ON) 能夠減少功耗,提高產品的能效和性能。

3. **低功率電源模組**:這款 MOSFET 也適用於低功率電源模組,如 DC-DC 轉換器和電源適配器。其高效的電流傳導能力和低導通阻抗有助於提升轉換效率,減少熱量生成。

4. **LED 驅動電路**:在 LED 驅動電路中,DTS2012-VB 可以用作開關元件。其小型封裝和高電流處理能力使其非常適合高密度的 LED 照明應用,能夠保證穩定的光源輸出。

5. **通信設備**:在通信設備中,DTS2012-VB 可用於信號放大和開關應用。其低 RDS(ON) 和高開關速度使其能夠處理高速信號,確保設備的穩定性和性能。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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