產品參數：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
|
18/40mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
Trench |
二、ELM34600AA-N-VB 詳細參數說明
- **型號**: ELM34600AA-N-VB
- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 雙N溝道+P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: ±30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **N溝道開啟電壓 (Vth)**: 1.6V
- **P溝道開啟電壓 (Vth)**: -1.7V
- **N溝道導通電阻 (RDS(ON))**:
- 24mΩ @ VGS=4.5V
- 18mΩ @ VGS=10V
- **P溝道導通電阻 (RDS(ON))**:
- 50mΩ @ VGS=4.5V
- 40mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: ±8A
- **技術**: Trench
領域和模塊應用：
三、適用領域和模組舉例
ELM34600AA-N-VB 的雙N溝道和P溝道設計使其非常適合以下應用領域：
1. **H橋電機驅動**：在H橋電路中，該MOSFET可以用於電機的正反向控制。雙N溝道和P溝道配置提供了靈活的電流流向控制能力，適合用於各種直流電機驅動應用。
2. **電源開關和管理**：該器件可以用作電源開關模組，提供高效的開關控制。其低導通電阻特性使其在電源管理中能夠減少功耗，提高系統效率。適合用於開關電源、降壓和升壓轉換器中。
3. **負載開關和保護**：ELM34600AA-N-VB 的雙通道配置使其在負載開關應用中能夠實現高效的電源開關控制，保護電路免受過流或過壓的影響。這些特性使其適用於消費電子產品中的開關和保護電路。
4. **功率管理和轉換**：在各種功率管理和轉換應用中，如DC-DC轉換器，ELM34600AA-N-VB 提供了高效的開關控制，能夠有效地處理電流和電壓轉換，提高系統的整體性能。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
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