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EMB06N03GH-VB 產品詳細

產品簡介:

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EMB06N03GH-VB 是一款採用 SOP8 封裝的單N溝道MOSFET,適用於低電壓、高電流的開關應用。該器件的額定漏源電壓為 30V,柵源電壓額定為 ±20V,具有低導通電阻和高導通電流的特點,採用先進的溝槽(Trench)技術製造,能夠在較低的柵極驅動電壓下實現優異的導通性能。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 25A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 25A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 25A Trench
詳細參數說明:
- **封裝類型**:SOP8
- **極性**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 4mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:25A
- **技術類型**:溝槽(Trench)

領域和模塊應用:

應用領域和模組:
1. **電源管理模組**:EMB06N03GH-VB 適用於直流-直流轉換器、開關電源 (SMPS) 中的同步整流和功率開關。這款 MOSFET 的低導通電阻使其能夠高效地處理大電流,並降低功率損耗,提高轉換效率。

2. **電機驅動模組**:由於其高電流能力和低導通電阻,該器件常用於電機驅動應用,如風扇、電動工具和家用電器的驅動電路中。其溝槽技術還確保了在高速開關操作下的低導通損耗和高可靠性。

3. **負載開關和保護電路**:EMB06N03GH-VB 還適合用作負載開關和保護電路,能夠在較低的柵極驅動電壓下提供可靠的開關功能,保護下游電路免受電壓過高或過流的影響。

4. **可攜式設備**:該 MOSFET 的 SOP8 封裝和緊湊設計使其適合應用於可攜式設備中的電源管理,如智能手機、平板電腦和其他可攜式消費電子產品中,能夠在有限的空間內提供高效的電流處理能力。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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