推广型号

您現在的位置 > 首頁 > 推广型号

EMH1307-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

**EMH1307-VB** 是一款高性能的 P-Channel MOSFET,封裝為緊湊的 SC70-8 封裝。此 MOSFET 採用 Trench 技術,具有低導通電阻和優秀的開關特性。其額定漏極-源極電壓為 -20V,適合小型化電子設備和高密度應用。具有較低的閾值電壓(Vth)為 -0.8V,使其在較低柵極電壓下也能有效導通。其導通電阻 RDS(ON) 在 VGS=4.5V 下為 24mΩ,在 VGS=10V 下為 20mΩ,支持最大漏極電流 -6.5A,適合多種功率開關應用。

文件下載

下載PDF檔案
立即下載

產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-8 Single-P -20V -0.8V -6.5A 20mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-8 Single-P -20V -0.8V -6.5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-8 Single-P -20V -0.8V -6.5A Trench
詳細參數說明

- **型號**: EMH1307-VB
- **封裝**: SC70-8
- **配置**: 單極性 P-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: -20V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -0.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 24mΩ @ VGS = 4.5V
- 20mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: -6.5A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用:

應用領域與模組示例

**EMH1307-VB** 的優異性能使其適用於多種電子應用領域,特別是在空間受限的環境中。以下是幾個具體的應用示例:

1. **可攜式電子設備**: 由於其緊湊的 SC70-8 封裝,EMH1307-VB 非常適合用在可攜式設備,如智能手機、平板電腦和可攜式音響系統中,作為高效的開關元件來控制電源和信號流。

2. **電池管理系統**: 在電池管理系統中,該 MOSFET 的低閾值電壓和低導通電阻有助於高效地開關和管理電池的充放電過程,確保電池的安全和高效運行。

3. **低功耗開關電路**: 在低功耗的開關電路中,例如 LED 驅動電路和小型電機控制電路,EMH1307-VB 的低 RDS(ON) 和較高的最大漏極電流使其能夠高效地控制電流,同時減少能量損耗。

4. **高密度電路板**: 在高密度電路板設計中,該 MOSFET 的小型封裝可以幫助節省板上空間,同時提供高效的開關性能,適合應用在緊湊的電子模組中。

5. **低電壓電源管理**: 在低電壓電源管理模組中,如降壓轉換器和穩壓器,EMH1307-VB 的低導通電阻確保了高效率和低熱量的運行,適合用於對功率損耗要求嚴格的場合。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

* 如果您對產品有任何問題,請填寫表格提交,我們會24小時內回復您

打樣申請

QQ諮詢

電話諮詢

400-655-8788

微信諮詢

一鍵置頂

打樣申請
線上諮詢
電話諮詢
微信諮詢