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F640-VB 產品詳細

產品簡介:

F640-VB TO220 MOSFET 產品簡介

F640-VB 是一款高電壓單N溝道功率MOSFET,採用TO-220封裝,設計用於處理高電壓和高電流應用。該MOSFET 具有200V的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS),提供可靠的開關性能。F640-VB 使用Trench工藝技術,具有3V的閾值電壓 (Vth),在VGS=10V時的導通電阻 (RDS(ON)) 為110mΩ,最大漏極電流 (ID) 為30A。它在高電壓和高電流應用中表現出色,是高功率開關和電流控制的理想選擇。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A 110mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A Trench
F640-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝類型 (Package):** TO-220
- **配置 (Configuration):** 單N溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS):** 200V
- **柵源電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 3V
- **導通電阻 (RDS(ON)):** 110mΩ@VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID):** 30A
- **技術 (Technology):** Trench

領域和模塊應用:

F640-VB MOSFET 應用領域與模組舉例

F640-VB MOSFET 的高電壓和高電流能力使其適用於多種需要處理高功率和高電壓的應用。在**電源管理和轉換器**中,F640-VB 可以作為開關元件,適用於高電壓DC-DC轉換器和AC-DC轉換器中,處理200V的電壓和30A的電流。它在**電動機驅動系統**中也發揮作用,能夠控制高功率電機的啟動和運行,確保電機在高電壓條件下的穩定性和高效性。F640-VB 還適用於**電池管理系統**,特別是在高電壓電池組的充放電過程中,提供可靠的開關控制,保護電池免受過電流和過電壓的損害。此外,它也可用於**逆變器**系統,如太陽能逆變器和工業逆變器,提供高效的電流控制和開關操作。整體而言,F640-VB 是處理高電壓和高電流應用中的關鍵元件,為各種需要穩定高功率開關的系統提供支持。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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