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F8788-VB 產品詳細

產品簡介:

F8788-VB MOSFET 產品簡介

F8788-VB 是一款高性能單N通道MOSFET,採用SOP8封裝,設計用於中低電壓和高電流應用。其最大漏極到源極電壓(VDS)為30V,柵極到源極電壓(VGS)容許值為±20V,閾值電壓(Vth)為1.7V,適合低電壓驅動。採用Trench技術,F8788-VB具有非常低的導通電阻(RDS(ON)),分別為4mΩ(VGS=4.5V)和3mΩ(VGS=10V),能夠處理高達25A的連續漏極電流。該MOSFET非常適合用於要求高開關效率和低功率損耗的電源管理和功率控制系統。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 25A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 25A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 25A Trench
詳細參數說明

1. **封裝**: SOP8
- 小巧的SOP8封裝適合用於緊湊的電路板設計,具有良好的散熱性能。

2. **配置**: 單N通道
- 提供一個N通道MOSFET,適用於單向電流控制和開關應用。

3. **VDS(漏極到源極電壓)**: 30V
- 漏極和源極之間的最大電壓,適合低電壓應用場景。

4. **VGS(柵極到源極電壓)**: ±20V
- 柵極和源極之間的最大電壓,確保MOSFET在不同驅動條件下的穩定性。

5. **Vth(閾值電壓)**: 1.7V
- 啟動MOSFET所需的最小柵極到源極電壓,適用於低電壓驅動電路。

6. **RDS(ON)(導通電阻)**:
- VGS=4.5V時為4mΩ
- VGS=10V時為3mΩ
- 低導通電阻有助於減少功率損耗,提高開關效率。

7. **ID(連續漏極電流)**: 25A
- MOSFET在特定VGS下的最大連續電流,適合處理中等電流負載。

8. **技術**: Trench
- 採用Trench技術,實現低導通電阻和高電流處理能力,確保高效開關性能。

領域和模塊應用:

應用實例

F8788-VB MOSFET的高開關效率和低功率損耗特性使其在多個領域和模組中廣泛應用。以下是一些具體的應用示例:

1. **電源管理**:
- F8788-VB非常適合用於電源管理系統,如DC-DC轉換器和電壓調節器。其低導通電阻和高電流處理能力使其能夠高效地管理電源,適用於電腦電源、工業電源和高效能電池管理系統。

2. **功率開關**:
- 在功率開關應用中,F8788-VB可以用於開關電源、負載開關和電機驅動器。其低功率損耗和高電流能力使其非常適合用於要求高開關效率的電機控制和負載切換場景。

3. **開關電源**:
- F8788-VB在開關電源設計中表現優異,適合用於各種開關電源應用,包括家用電器的電源模組和通信設備的電源系統。其高開關速度和低導通電阻確保了高效能和可靠性。

4. **高效能電池管理**:
- 在電池管理系統中,F8788-VB能夠處理高電流,適合用於電池保護電路和電池充電器中。其低導通電阻幫助減少功率損耗,提升電池系統的整體效率和安全性。

總之,F8788-VB MOSFET憑藉其低導通電阻、高電流處理能力和高開關效率,適合在電源管理、功率開關、開關電源和電池管理等應用中使用,能夠顯著提升系統性能和可靠性。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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